5月22日消息，綜合日經新聞、路透社、《日經xTECH》報導，日本芯片大廠瑞薩社長兼CEO柴田英利于19日在線上舉行的戰略說明會上表示，將自今年起開始投資SiC功率半導體，目標在2025年開始進行量產。

據介紹，瑞薩將利用旗下目前已生產硅制功率半導體的高崎工廠的6吋晶圓產線進行生產，以應對隨著電動車(EV)普及，帶動節能性能優異的SiC功率半導體今后需求有望顯著增長。瑞薩在去年11月就表明要進軍SiC功率半導體市場，此次則是首度明確說明投資戰略。

瑞薩目前采取的生產策略是先進邏輯芯片等產品委外由晶圓代工廠生產，而易于采用自家技術的功率半導體則靠自家工廠生產。而除了SiC外，瑞薩也將對現行電動車采用的硅制IGBT等功率半導體進行積極投資，于2014年關閉的甲府工廠預計將在2024年上半年重新啟用，將生產硅制功率半導體。

在SiC功率半導體市場上，瑞士ST Microelectronics、德國英飛凌(Infineon)、日本三菱電機等廠商也正致力于投資，瑞薩可說是起步比較慢。

柴田英利表示，“在功率半導體上、我們起步非常慢。例如電動汽車用IGBT現在的市占率預計為10%左右。但甲府工廠開始生產的話，(市占率)將可增至2倍、3倍。”

柴田英利自信的表示，“客戶對瑞薩IGBT的評價非常高、會將這些評價延用至SiC事業上。現在SiC市場仍小，但將來毫無疑問的會變得非常大。客戶對瑞薩SiC產品的詢問，即便是(尚未生產的)現在也非常強勁，2025年開始生產的話，事業將可順利進行。”

和硅制功率半導體相比，SiC功率半導體擁有更優異的耐熱/耐壓性，電力耗損少，幫幫助電動車提高續航距離，而除了電動車外，來自蓄電池等再生能源領域的需求也看漲。