三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。據(jù)韓媒，三星電子副總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)部DRAM開發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。

他透露，三星電子還準備針對高溫熱特性優(yōu)化的NCF（非導(dǎo)電粘合膜）組裝技術(shù)和HCB（混合鍵合）技術(shù)，以應(yīng)用于該產(chǎn)品。

此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務(wù)，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業(yè)務(wù)團隊，以加強尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門之間的協(xié)同作用。

行業(yè)機構(gòu)預(yù)測，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長約30%。與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優(yōu)勢，可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計算場景，因而備受青睞，存儲大廠也在積極推動HBM技術(shù)迭代。

雖然HBM4技術(shù)將有重大突破，但它的推出時間并不會很快，因此討論其應(yīng)用和普及還為時過早。業(yè)內(nèi)人士指出，當前HBM市場主要以HBM2e為主，未來HBM3和HBM3e將成為主流。

據(jù)悉，HBM芯片是一種高帶寬內(nèi)存芯片，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、數(shù)據(jù)中心、人工智能等領(lǐng)域。HBM芯片采用3D堆疊工藝，將多個DRAM芯片堆疊在一起，以實現(xiàn)更高的內(nèi)存帶寬和容量，同時減小了芯片面積，降低了功耗和成本。