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近日,著名咨詢公司麥肯錫發(fā)表了一份SiC市場的分析報告,其中電動汽車市場以及SiC市場的最新預測數(shù)據(jù)值得我們關(guān)注。
電動汽車以及SiC市場預測麥肯錫從2018年到2022年之間的數(shù)據(jù)預測,到2030年電動汽車在全球輕型汽車市場中的份額將增長3.8倍,從大約1700萬輛增加至6400萬輛,市場份額從2022年的19%增長至2030年的67%。預計到2024年或2025年,多個國家的電動汽車總擁有成本將會與內(nèi)燃機汽車持平,這樣的預期也推動了電動汽車市場的增長。SiC在電動汽車中主要被應用于逆變器、DC-DC、OBC等核心部件上。相比以往的硅功率器件,SiC功率器件能夠提供更高的開關(guān)頻率、熱阻和擊穿電壓,從而有效提高電動汽車的工作效率并降低系統(tǒng)總成本。因此,隨著電動汽車市場的增長,SiC也將迎來高增長階段。麥肯錫報告顯示,SiC器件市場在2022年的價值約為20億美元,預計到2023年將達到110億美元至140億美元,年均復合增長率預計達到26%。麥肯錫預計,市場上70%的SiC需求將來自電動汽車,并認為中國是電動汽車需求最高的國家,將占到電動汽車SiC總需求的40%左右。由于對耐壓以及效率的需求,目前800V平臺的電動汽車上SiC器件的使用比例較高。報告分析稱,到2030年,純電動汽車(BEV)預計會占新能源汽車產(chǎn)量的75%,而混合動力(HEV)和插電混動(PHEV)汽車將占其余的25%。另外,到2030年,800V平臺的滲透率將超過50%。SiC行業(yè)趨勢:走向IDM,8英寸晶圓滲透率提高目前SiC市場高度集中,SiC襯底和器件市場上的前兩家公司就壟斷了大約60%到65%的SiC市場份額。其中,SiC市場的主要玩家采用IDM模式。根據(jù)麥肯錫的分析,SiC襯底和器件制造中采用IDM模式,能夠?qū)a(chǎn)量提高5%至10%,利潤提高10%至15%。其中的原因包括更低的損耗率,同時還有在制造過程中的每個步驟中消除邊際堆疊。通過更好地控制設計,并與晶圓和器件制造之間的閉環(huán)反饋實現(xiàn)更快的產(chǎn)量提升,可以實現(xiàn)更高的良率。從戰(zhàn)略上看,IDM廠商能夠為汽車OEM提供更穩(wěn)定的供應,這在供應鏈中具備很大的優(yōu)勢。包括意法半導體收購Norstel、安森美收購GT Advanced Technologies (GTAT)和羅姆收購SiCrystal,都展示出SiC廠商布局IDM的趨勢。在SiC晶圓方面,麥肯錫預計從6英寸晶圓向8英寸晶圓的轉(zhuǎn)變將在2024年或2025年左右開始,到2030年8英寸SiC晶圓的市場滲透率將達到50%。一旦制造商成功克服了技術(shù)挑戰(zhàn),8英寸晶圓將為他們帶來豐厚的利潤收益,同時減少邊緣損耗,提高生產(chǎn)效率,并能夠充分利用硅制造中的折舊資產(chǎn)。根據(jù)我們對垂直整合程度的不同估計,這種轉(zhuǎn)變所帶來的利潤增長幅度大約在5%至10%之間。美國領(lǐng)先的制造商預計將于2024年和2025年開始批量生產(chǎn)8英寸晶圓,隨后這種生產(chǎn)將迅速增長。主要推動因素包括應對需求和價格壓力(特別是來自中等規(guī)模電動汽車制造商),以及通過轉(zhuǎn)向8英寸碳化硅晶圓制造實現(xiàn)的成本節(jié)約。分析結(jié)果顯示,由于產(chǎn)量較低,與6英寸晶片相比,目前8英寸晶片襯底的單位價格仍相對較高。然而,隨著工藝產(chǎn)量的提升和新晶片技術(shù)的引入,領(lǐng)先制造商在未來十年內(nèi)有望縮小這一差距。例如,麥肯錫發(fā)現(xiàn)相較于傳統(tǒng)的多線鋸晶片切割技術(shù),激光切割技術(shù)有望將一個單晶毛坯生產(chǎn)的晶片數(shù)量提升一倍以上。此外,先進的晶片技術(shù)如氫分裂等也有望進一步提高產(chǎn)能。中國本土供應商未出現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先者目前在中國SiC市場上,80%的襯底/晶圓以及95%以上的器件來自海外供應商,不過由于考慮到地緣政治以及供應穩(wěn)定,中國汽車OEM正在加速尋求本土供應商。鑒于可見的產(chǎn)能擴張和器件技術(shù)性能,預計到2030年,中國汽車OEM廠商將廣泛轉(zhuǎn)向本地供應商采購,從目前的約15%提高到約60%。在整個碳化硅價值鏈中,從設備供應到晶圓和器件制造,再到系統(tǒng)集成,中國企業(yè)的崛起將推動中國向本地采購的轉(zhuǎn)變。中國的設備供應商已經(jīng)覆蓋了所有主要的碳化硅制造步驟,并已宣布投資提升產(chǎn)能至2027年。不過,麥肯錫也認為,在中國的SiC行業(yè)中尚未出現(xiàn)明確的供應領(lǐng)導者。
電動汽車以及SiC市場預測
SiC行業(yè)趨勢:走向IDM,8英寸晶圓滲透率提高
中國本土供應商未出現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先者
TI德州儀器TMS320F28335PTPQ數(shù)字信號處理器的中文參數(shù)、應用領(lǐng)域和功能特點如下:中文參數(shù)?品牌?:TI(德州儀器)?產(chǎn)品種類?:數(shù)字信號處理器和控制器(DSP, DSC)?封裝/箱體?:HLQFP-176?核心?:C28?最大時鐘頻率?:100 MHz(也有資料表明其主頻可達150MHz,具體可能因不同型號或配置而異)?程序存儲器大小?:128 kB?數(shù)據(jù)RAM大小?:52 kB?工作電源電壓?:3.3 V?最小工作溫度?:-40 °C?最大工作溫度?:+125 °C(工業(yè)級溫度范圍為0°C~85°C)?程序存儲器類型?:Flash?接口類型?:I2C, Serial等?輸入/輸出端數(shù)量?:88 I/O?ADC分辨率?:12 bit?數(shù)據(jù)總線寬度?:32 bit應用領(lǐng)域TMS320F28335PTPQ數(shù)字信號處理器廣泛應用于多個領(lǐng)域,包括但不限于:?工業(yè)控制?:如電機控制、電力電子等,其高性能DSP內(nèi)核和豐富的外設使其成為工業(yè)控制系統(tǒng)的理想選擇。?通信設備?:在通信信號處理、數(shù)據(jù)傳輸?shù)确矫姘l(fā)揮重要作用。?醫(yī)療設備?:用于醫(yī)療設備的信號處理和控制,提高設備的精度和可靠性。?汽車電子?:在汽車電子系統(tǒng)中,用于發(fā)動機控制、車身控制等,提高汽車的性能和安全性。功能特點?高性能DSP內(nèi)核?:具有強大的數(shù)字信號處理能力,支持復雜的控制和信號處理任務。?豐富的外設接口?:包括I2C、SPI、eCAN、ePWM等總線接口,適用于各種控制類工業(yè)設備。?高精度ADC?:12位ADC提供高精度模擬信號轉(zhuǎn)換,滿足精確測量的需求。?低功耗設計?:采用先進的工藝和電路設計,降低系統(tǒng)能耗。?易于開發(fā)和集成?:提供詳盡的參考設計原理圖和豐富的開發(fā)資源,方便開發(fā)者進行項目開發(fā)和系統(tǒng)集成。綜上所述,TI德州儀器TMS320F28335PTPQ單片機是一款高性能、功能豐富、易于開發(fā)和集成的數(shù)字信號處理器,適用于多個領(lǐng)域的應用需求。如果貴司有芯片采購需求、BOM表配單、芯片樣品測試請聯(lián)系客服:4008-622-911或13823669944。
基于51單片機PT100熱電偶AD轉(zhuǎn)換protues仿真設計仿真原版本:proteus7.8程序編譯器:keil4/keil 5編程語言:C語言設計編號:S0023功能說明:運用所學單片機知識,完成溫度信號的測量。要求如下:單片機系統(tǒng)選擇使用AT89C51,通過熱敏電阻PT100檢測溫度并使用AD轉(zhuǎn)換獲取溫度值(不允許使用DS18B20等傳感器),在數(shù)碼管上顯示溫度值。仿真電路:程序:
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