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近日,著名咨詢公司麥肯錫發(fā)表了一份SiC市場的分析報告,其中電動汽車市場以及SiC市場的最新預(yù)測數(shù)據(jù)值得我們關(guān)注。
電動汽車以及SiC市場預(yù)測麥肯錫從2018年到2022年之間的數(shù)據(jù)預(yù)測,到2030年電動汽車在全球輕型汽車市場中的份額將增長3.8倍,從大約1700萬輛增加至6400萬輛,市場份額從2022年的19%增長至2030年的67%。預(yù)計到2024年或2025年,多個國家的電動汽車總擁有成本將會與內(nèi)燃機(jī)汽車持平,這樣的預(yù)期也推動了電動汽車市場的增長。SiC在電動汽車中主要被應(yīng)用于逆變器、DC-DC、OBC等核心部件上。相比以往的硅功率器件,SiC功率器件能夠提供更高的開關(guān)頻率、熱阻和擊穿電壓,從而有效提高電動汽車的工作效率并降低系統(tǒng)總成本。因此,隨著電動汽車市場的增長,SiC也將迎來高增長階段。麥肯錫報告顯示,SiC器件市場在2022年的價值約為20億美元,預(yù)計到2023年將達(dá)到110億美元至140億美元,年均復(fù)合增長率預(yù)計達(dá)到26%。麥肯錫預(yù)計,市場上70%的SiC需求將來自電動汽車,并認(rèn)為中國是電動汽車需求最高的國家,將占到電動汽車SiC總需求的40%左右。由于對耐壓以及效率的需求,目前800V平臺的電動汽車上SiC器件的使用比例較高。報告分析稱,到2030年,純電動汽車(BEV)預(yù)計會占新能源汽車產(chǎn)量的75%,而混合動力(HEV)和插電混動(PHEV)汽車將占其余的25%。另外,到2030年,800V平臺的滲透率將超過50%。SiC行業(yè)趨勢:走向IDM,8英寸晶圓滲透率提高目前SiC市場高度集中,SiC襯底和器件市場上的前兩家公司就壟斷了大約60%到65%的SiC市場份額。其中,SiC市場的主要玩家采用IDM模式。根據(jù)麥肯錫的分析,SiC襯底和器件制造中采用IDM模式,能夠?qū)a(chǎn)量提高5%至10%,利潤提高10%至15%。其中的原因包括更低的損耗率,同時還有在制造過程中的每個步驟中消除邊際堆疊。通過更好地控制設(shè)計,并與晶圓和器件制造之間的閉環(huán)反饋實現(xiàn)更快的產(chǎn)量提升,可以實現(xiàn)更高的良率。從戰(zhàn)略上看,IDM廠商能夠為汽車OEM提供更穩(wěn)定的供應(yīng),這在供應(yīng)鏈中具備很大的優(yōu)勢。包括意法半導(dǎo)體收購Norstel、安森美收購GT Advanced Technologies (GTAT)和羅姆收購SiCrystal,都展示出SiC廠商布局IDM的趨勢。在SiC晶圓方面,麥肯錫預(yù)計從6英寸晶圓向8英寸晶圓的轉(zhuǎn)變將在2024年或2025年左右開始,到2030年8英寸SiC晶圓的市場滲透率將達(dá)到50%。一旦制造商成功克服了技術(shù)挑戰(zhàn),8英寸晶圓將為他們帶來豐厚的利潤收益,同時減少邊緣損耗,提高生產(chǎn)效率,并能夠充分利用硅制造中的折舊資產(chǎn)。根據(jù)我們對垂直整合程度的不同估計,這種轉(zhuǎn)變所帶來的利潤增長幅度大約在5%至10%之間。美國領(lǐng)先的制造商預(yù)計將于2024年和2025年開始批量生產(chǎn)8英寸晶圓,隨后這種生產(chǎn)將迅速增長。主要推動因素包括應(yīng)對需求和價格壓力(特別是來自中等規(guī)模電動汽車制造商),以及通過轉(zhuǎn)向8英寸碳化硅晶圓制造實現(xiàn)的成本節(jié)約。分析結(jié)果顯示,由于產(chǎn)量較低,與6英寸晶片相比,目前8英寸晶片襯底的單位價格仍相對較高。然而,隨著工藝產(chǎn)量的提升和新晶片技術(shù)的引入,領(lǐng)先制造商在未來十年內(nèi)有望縮小這一差距。例如,麥肯錫發(fā)現(xiàn)相較于傳統(tǒng)的多線鋸晶片切割技術(shù),激光切割技術(shù)有望將一個單晶毛坯生產(chǎn)的晶片數(shù)量提升一倍以上。此外,先進(jìn)的晶片技術(shù)如氫分裂等也有望進(jìn)一步提高產(chǎn)能。中國本土供應(yīng)商未出現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先者目前在中國SiC市場上,80%的襯底/晶圓以及95%以上的器件來自海外供應(yīng)商,不過由于考慮到地緣政治以及供應(yīng)穩(wěn)定,中國汽車OEM正在加速尋求本土供應(yīng)商。鑒于可見的產(chǎn)能擴(kuò)張和器件技術(shù)性能,預(yù)計到2030年,中國汽車OEM廠商將廣泛轉(zhuǎn)向本地供應(yīng)商采購,從目前的約15%提高到約60%。在整個碳化硅價值鏈中,從設(shè)備供應(yīng)到晶圓和器件制造,再到系統(tǒng)集成,中國企業(yè)的崛起將推動中國向本地采購的轉(zhuǎn)變。中國的設(shè)備供應(yīng)商已經(jīng)覆蓋了所有主要的碳化硅制造步驟,并已宣布投資提升產(chǎn)能至2027年。不過,麥肯錫也認(rèn)為,在中國的SiC行業(yè)中尚未出現(xiàn)明確的供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)者。
電動汽車以及SiC市場預(yù)測
SiC行業(yè)趨勢:走向IDM,8英寸晶圓滲透率提高
中國本土供應(yīng)商未出現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先者
以下是意法STM32G030F6P6單片機(jī)的中文參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域和功能特點的詳細(xì)介紹:一、中文參數(shù)?制造商?:STMicroelectronics(意法半導(dǎo)體)?核心處理器?:ARM Cortex-M0+?內(nèi)核規(guī)格?:32位?速度?:最高可達(dá)64MHz?閃存?:16KB(用于程序存儲)?SRAM?:4KB?GPIO?:支持102個高速GPIO(通用輸入輸出)引腳?連接能力?:具備I2C、SPI、USART等通信接口?供電電壓?:核心電壓(VDD)典型值為3.3V,推薦范圍為1.8V至3.6V;I/O電壓(VDDIO)需在核心電壓范圍內(nèi)或與核心電壓相等?工作溫度?:通常范圍為-40°C至+105°C(不同型號可能有所差異,具體需參考數(shù)據(jù)手冊)?封裝?:多種封裝形式可選,具體需根據(jù)應(yīng)用需求確定二、應(yīng)用領(lǐng)域?智能家居?:可作為智能家電的控制單元,實現(xiàn)數(shù)據(jù)的采集、處理和控制。?工業(yè)控制?:適用于各種自動化設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng),提供高效、穩(wěn)定的數(shù)據(jù)處理能力。?消費電子?:廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備、智能穿戴設(shè)備等消費級市場。?安防監(jiān)控?:在安防系統(tǒng)中作為主要的處理單元,實現(xiàn)視頻監(jiān)控、報警等功能。?醫(yī)療設(shè)備?:可用于電子血壓計、心電圖監(jiān)測儀等醫(yī)療設(shè)備中,提供高性能的控制和數(shù)據(jù)處理能力。三、功能特點?高效能與低功耗?:STM32G030F6P6結(jié)合了高效能和低功耗的特點,使其成為小型自動化設(shè)備的理想選擇。?硬件加密功能?:支持安全引導(dǎo)和固件更新,為設(shè)備提供了更強(qiáng)的安全保護(hù),特別適用于需要安全功能的應(yīng)用,如支付終端、門鎖控制等。?豐富的外設(shè)接口?:提供多種通信接口和外設(shè),如I2C、SPI、USART、PWM等,方便用戶根據(jù)應(yīng)用需求進(jìn)行擴(kuò)展和連接。?強(qiáng)大的處理能力?:基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核,具有獨立的指令存儲器和數(shù)據(jù)存儲器,支持單周期指令和多級硬件堆棧,提高了處理速度和程序執(zhí)行能力。?靈活的電源管理?:支持多種電源管理模式,有助于降低功耗,延長設(shè)備的使用壽命。綜上所述,意法STM32G030F6P6單片機(jī)以其高效能、低功耗、硬件加密功能、豐富的外設(shè)接口和強(qiáng)大的處理能力等特點,在智能家居、工業(yè)控制、消費電子、安防監(jiān)控和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。如果貴司有芯片采購需求、BOM表配單、芯片樣品測試請聯(lián)系客服:4008-622-911或13823669944。
根據(jù)實際的應(yīng)用我們會選擇一個運算放大器(op amp),選型過程中工程師會考慮一些參數(shù)可例如:電源電壓、增益帶寬積、輸入共模范圍、轉(zhuǎn)換速率和輸入噪聲電壓等等。在實際項目中工程師可能都碰到過運算放大器工作異常的情況。好的一方面是運算放大器輸出通常會說明情況。很多時候, 如果情況并不“那么好”,其會在輸出引腳以一種明顯的方式表現(xiàn)出來( 批注:輸出波形相比較于輸入出現(xiàn)了失真)。非理想輸出波形可由輸出級的諸多限制因素引起。我們可能會觀測到輸出端過多電容引起的振蕩。否則,在達(dá)到全軌電壓之前可能會出現(xiàn)削波,因為輸出級被限制在低于電源軌電壓的電壓擺動。運算放大器輸出端出現(xiàn)與輸出級無關(guān)的異常行為也是可能的。有時, 非理想輸出信號可能會產(chǎn)生自器件輸入端異常。最常見的運算放大器問題是超出器件輸入共模范圍。但是,“輸入共模范圍”到底是什么,而超出這一范圍又會產(chǎn)生什么影響呢?一、輸入共模電壓定義談及運算放大器輸入時,輸入共模電壓(VICM)是工程師首先會想到的一個術(shù)語,但其可能會帶來一定的初始混淆。VICM描述了一個特殊的電壓電平,其被定義為反相和非反相輸入引腳(圖1)的平均電壓。圖 1 運算放大器的輸入共模電壓它常常被表示為:VICM = [VIN (+) + VIN (–)]/2.思考VICM的另一種方法是,它是非反相和反相輸入即VIN (+)和VIN (–)常見的電壓電平。事實證明,在大多數(shù)應(yīng)用中,VIN (+)都非常接近于VIN (–),因為閉環(huán)負(fù)反饋使一個輸入引腳緊跟另一個, 這樣VIN (+)和VIN (–)之間的差便接近于零(批注:此處就相當(dāng)于學(xué)習(xí)理想運放是的兩個輸入是“虛短”在一起,兩個電壓是一樣的,但是實際運放是會存在略微的偏差)。對許多常見電路而言確是這樣一種情況,其包括電壓跟隨器、反相和非反相配置。在這些情況下,我們常常假設(shè)VIN (+) = VIN (–) = VICM,因為這些電壓大約相等。二、輸入共模范圍定義用于描述運算放大器輸入的另一個術(shù)語是“輸入共模范圍”(VICMR),或者更準(zhǔn)確的說是“ 輸入共模電壓范圍”。它是許多產(chǎn)品說明書中經(jīng)常用到的一個參數(shù),同時也是廣大電路設(shè)計人員最為關(guān)心的一個參數(shù)。 VICMR定義了運算放大器器件正確運行所需的共模輸入電壓“范圍”,并描述了輸入與每個電源軌的接近程度。思考VICMR的另一種方法是:它描述了由VICMR_MIN和VICMR_MAX定義的一個范圍。如圖2所示,對VICMR的描述如下:圖 2 運算放大器的輸入共模電壓范圍VICMR =VICMR_MAX – VICMR_MIN其中:VICMR_MIN = 相對于VCC –電源軌限制VICMR_MAX = 相對于VCC+電源軌限制超出VICMR時,便無法保證運算放大器的正常線性運行。因此,保證完全了解輸入信號的整個范圍并確保不超出VICMR至關(guān)重要。產(chǎn)生混淆的另一個方面可能會是:VICM和VICMR并非標(biāo)準(zhǔn)化縮略語 ,而各個IC供應(yīng)商的各種產(chǎn)品說明書通常使用不同的術(shù)語,例如:VCM, VIC, VCMR等。結(jié)果,我們必需要了解您研究的規(guī)范超過了某個特殊輸入電壓—一個“輸入電壓范圍”。VICMR因運算放大器而各異運算放大器的輸入級由設(shè)計規(guī)范和所用運算放大器工藝技術(shù)類型規(guī)定。例如,CMOS運算放大器的輸入級便與雙極型運算放大器不同,其區(qū)別于JFET運算放大器等。運算放大器輸入級和工藝技術(shù)的具體情況不在本文討論范圍內(nèi),但注意到這些差異存在于各種運算放大器器件之間也很重要。三、實例表1列舉了幾個德州儀器(TI)運算放大器的例子及其VICMR?!白畲箅娫捶秶睓诿枋隽穗p電源和單電源(括號內(nèi))限制。 由該表,我們清楚地知道各運算放大器的輸入范圍VICMR明顯不同。根據(jù)器件的具體類型,VICMR可能會低于或者超出電源軌(請注意:Technology有不同)。因此,絕不要假設(shè)運算放大器可以接收特殊輸入信號范圍,除非在產(chǎn)品說明書規(guī)范中得到核實。表 1 幾種不同運算放大器的VICMR舉例值得一提的一種 寬輸入范圍特例是“軌到軌輸入運算放大器”。盡管,顧名思義, 它是一種輸入涵蓋整個電源軌范圍的運算放大器,但并非所有軌到軌輸入器件都如許多人設(shè)想的那樣涵蓋整個電源范圍。許多軌到軌輸入運算放大器的確涵蓋了整個電源范圍(例如:表1中的OPA333等), 但有一些則沒有全覆蓋(例如下圖TI的軌到軌運放OPA4197), 而其描述對人具有一定的誤導(dǎo)性,它并不是0~VCC。所以,檢查產(chǎn)品說明書中的規(guī)定輸入范圍至關(guān)重要。3.1 VICMR違規(guī)舉例-交流分析VICMR違規(guī)常見于單電源運算放大器應(yīng)用中,這些應(yīng)用的負(fù)軌通常為接地電壓即0V,而正軌為正電壓,例如:3.3V、5V或者更高。在這些應(yīng)用中,輸入信號范圍一般不是非常寬,同時必須較好地理解輸入信號和VICMR,以確保正確的運算放大器運行結(jié)果。如果違反VICMR,非理想輸出行為可導(dǎo)致如低于預(yù)期電壓電平的信號削波、輸出信號電壓變化、反相,或者輸出過早地達(dá)到某個電源軌電壓。為了更好地理解超出VICMR帶來的影響, 我們列舉出了一些此類違規(guī)的例子。我們選擇兩個不同VICMR規(guī)范的運算放大器,以說明這些影響。我們之所以選擇這些器件,是因為它們具有軌到軌輸出,可排除輸出級帶來的一些限制。 圖3所示單電源電壓跟隨器電路(請注意:后續(xù)兩個交流分析的實測波形都是基于此電路),用于獲取兩個器件的波形。所有數(shù)據(jù)均在25°C室溫下的實驗臺獲取。圖 3 用于評估VICMR的單電源電壓跟隨器電路3.1.1 實例1作為第一個例子,我們選擇一個TLC2272運算放大器,并通過VCC = 10V為其供電。產(chǎn)品說明書將其典型VICMR范圍描述為25°C條件下5V電源電壓的–0.3 to 4.2V范圍。注意正電源軌附近的輸入限制,即VCC以下0.8V (或者VCC –0.8V)。本例中,我們使用了VCC = 10V,并且所得接近VCC輸入限制估計為-0.3~9.2V。為了測試該電路,我們將 VCC/2= 5V DC偏移的300 Hz正弦波應(yīng)用于輸入端。在VOUT出現(xiàn)變化以前, 一直對AC幅值進(jìn)行調(diào)節(jié)。如圖4所示,當(dāng)應(yīng)用10 Vp-p輸入時,VOUT在 正軌附近出現(xiàn)一個經(jīng)削波的信號,而非負(fù)軌附近。如果輸入超出VCC – 0.8V(本例中為9.2V),這種正軌附近出現(xiàn)的非理想行為是我們能夠預(yù)計到的。9.2V以下VIN電平和低至0V時,VOUT顯示出正確的波形,正如我們所預(yù)期的那樣。圖 4 VIN (Ch1)超出9.2V時TLC2272的VOUT顯示削波3.1.2 實例2第二個例子中,我們在圖3電壓跟隨器電路中使用一個TL971軌到軌輸出運算放大器,但其結(jié)果不同。這里,我們通過一個 5V單電源為運算放大器供電,這樣便得到VCC = 5V。由產(chǎn)品說明書規(guī)范可知, 保證VICMR范圍為1.15V到3.85V,即中間VCC/2大概為2.7 Vp-p(3.85-1.15V)。將一個1-kHz 正弦波應(yīng)用于2.5V的DC偏移。在觀測到VOUT出現(xiàn)變化以前,不斷將VIN幅值從200mVp-p調(diào)節(jié)到更大級別。VIN位于范圍中間即VCC/2 = 2.5V時,VOUT線性表現(xiàn)正常時VIN增加至2.7 Vp-p。隨著VIN增加至約 3.5 Vp-p(中間為2.5V),VOUT繼續(xù)跟隨VIN,并表現(xiàn)出正確的運算放大器行為。注意,該線性行為好于我們根據(jù)產(chǎn)品說明書限制做出的VICMR預(yù)計,但其仍然超出了保證限制。VIN稍稍增加至3.52 Vp-p,VOUT便開始在正(5V)和負(fù)(0V)軌附近呈現(xiàn)非線性行為(圖5)。 VIN進(jìn)一步增加至4.2 Vp-p,明顯超出VICMR。由于輸入峰值在正軌附近超出限制,因此其上跳至正軌(5V),并在VIN返回到某個可接受范圍以前一直保持在該狀態(tài),最終VOUT信號出軌(圖6)。隨著輸入降至負(fù)軌附近限制以下,VOUT信號表現(xiàn)出倒相,同時其跳至中軌(2.5V),并在VIN增加到VICMR范圍內(nèi)某個可接受電壓水平以前,一直通過偏壓來跟隨VIN。圖 5 VIN = 3.52 Vp-p時TL971非線性輸出行為開始端圖 6 VIN = 4.2 Vp-p時TL971非線性輸出行為這些例子表明, 超出VICMR時不同類型的運算放大器可產(chǎn)生不同的非線性行為。盡管在第二個例子中產(chǎn)生了倒相,但我們需要注意的是,違反VICMR時并非“所有”運算放大器都會出現(xiàn)倒相—它的產(chǎn)生只取決于具體的運算放大器。3.2 VICMR違規(guī)舉例- DC分析在前面所述例子中,我們利用一個AC信號來評估運算放大器電路的VICMR。另一種有用的測試方法是,將一個DC電壓源作用于圖3中電路的輸入。 DC輸入變化時,輸出電平也以類似方式變化,只是它不會隨時間的推移而持續(xù)變化。根據(jù)電路的不同類型,在早期的運算放大器評估過程中,AC或DC分析(或者兩種分析一起使用)可能會有所幫助。四、克服VICMR問題在設(shè)計過程的后期,如果您發(fā)現(xiàn)您無法滿足運算放大器的VICMR要求怎么辦呢?可能其他一些參數(shù)會是您應(yīng)用的理想選擇,而要修改器件是一件十分困難的事情。一個或多個下列選項或許可以作為一種 備選解決方案:(a) 如果輸入幅值過大,請使用一個電阻分壓器來讓信號維持在正確的VICMR范圍內(nèi)。(b) 如果輸入信號偏移存在問題,請嘗試使用一個輸入偏置或者DC偏移電路,以讓輸入信號保持在規(guī)定的運算放大器VICMR范圍內(nèi)。(c) 將器件改為軌到軌輸入運算放大器,以滿足所有其他要求。
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