11 月 12 日消息，近日，中國(guó)最大閃存芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)向美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭美光及其子公司提起專利侵權(quán)訴訟，要求法院禁止美光繼續(xù)使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的多項(xiàng) 3D NAND 技術(shù)專利，并賠償損失和訴訟費(fèi)用。長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱，美光的多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品涉嫌侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 8 項(xiàng)專利，這些專利涉及到 3D NAND 存儲(chǔ)器的形成方法、控制方法、直通陣列接觸 (TAC)、讀取方法和多層堆疊方法等方面。

據(jù)媒體了解，存儲(chǔ)芯片主要分為 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)）和 NAND（閃存）兩類，前者屬于易失性存儲(chǔ)器，即一旦斷電存儲(chǔ)資料立刻流失，一般被用作內(nèi)存輔助 CPU（中央處理器）進(jìn)行計(jì)算；后者為非易失性存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)資料，用于制造固態(tài)硬盤。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書中指出，美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)來與進(jìn)行市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，保護(hù)其市場(chǎng)份額，且美光未就使用上述專利支付合理費(fèi)用，侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的利益，遏制了后者的創(chuàng)新動(dòng)力。其還指控稱，美光在自己的專利文件中引用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)相關(guān)專利，證明美光了解長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利組合非常重要，但美光并未采取任何實(shí)際行動(dòng)尋求獲取長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利授權(quán)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在起訴書中表示，若法院未能就美光侵犯專利下達(dá)產(chǎn)品永久禁令，則應(yīng)制定相關(guān)方案，如美光向長(zhǎng)江存儲(chǔ)支付專利授權(quán)費(fèi)等。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于 2016 年 7 月，總部位于湖北武漢，主攻設(shè)計(jì)、制造 3D NAND 閃存芯片。長(zhǎng)江存儲(chǔ)采用了自研的 Xtacking（晶棧）架構(gòu)，其在技術(shù)上已經(jīng)追上國(guó)外巨頭，在 NAND 領(lǐng)域，長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2021 年就量產(chǎn)了 128 層 3D 堆疊產(chǎn)品，232 層產(chǎn)品亦開始上量。

美光是存儲(chǔ)芯片龍頭公司，與長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 NAND 市場(chǎng)是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2023 年二季度的 NAND 市場(chǎng)，美光市場(chǎng)份額為 13%，排名第五。在市場(chǎng)體量上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光差距較大。