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DIODES美臺ZXMP6A17E6QTA這種MOSFET設計用于最小化導通電阻,同時保持卓越的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
功能和優點
低導通電阻
快速切換速度
低閾值
低門驅動器
低輸入電容
完全無鉛且完全符合RoHS
不含鹵素和銻。“綠色”裝置
符合AEC-Q101高可靠性標準
PPAP可用
封裝:SOT23-6
應用
DC-DC轉換器
電源管理功能
隔離開關
電機控制
引腳封裝
10月11日消息,中國科學院計算技術研究所研究員尤海航和唐光明帶領的研究團隊,研制了超導神經形態處理器原型芯片“蘇軾”(SUSHI)。據了解,“蘇軾”是一款基于超導單磁通量子(SFQ)電路的超導計算芯片。近年來,超導計算芯片成為新原理計算領域的研究熱點之一。超導SFQ電路同時具有超高計算速度和超低計算功耗的特點,有望突破傳統計算在單位體積和單位能耗條件下提升算力困難的瓶頸。據中科院之聲介紹,該團隊提出了基于超導SFQ電路的神經元、權重、和片上網絡設計方法,研制出超導神經形態處理器原型芯片。“蘇軾”采用中國科學院上海微系統與信息技術研究所自主研發的2微米SIMIT-Nb03超導集成電路工藝進行制備,測試驗證并獲得了完整神經形態計算網絡的正確推理結果,這是國際上首次利用超導計算芯片實現這一功能。“蘇軾”具有精度可變性和規模易擴展性,利用十萬個約瑟夫森結即可獲得每秒近1.4萬億次突觸操作的峰值神經形態處理性能以及每瓦超32萬億次突觸操作的高能效。
集成電路芯片和功率半導體是兩種不同類型的電子器件,它們在設計、制造、應用等方面有著顯著的區別。下面將詳細介紹集成電路芯片和功率半導體的區別!一、定義功率半導體指的是能夠承受較大功率和電流的半導體器件,如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)等。它們主要在電源、變頻器、電機驅動等功率電子領域中使用。集成電路是將大量電子器件(如晶體管、電阻、電容等)集成在單個芯片上,形成一個完整的電子電路。它的主要應用領域是計算機、通信,及各種電子設備中的數字電路部分。二、結構功率半導體的結構通常采用單元素半導體(如硅、碳化硅)或復合半導體(如鎵鍺、砷化鎵)作為材料。器件體積較大,電極尺寸較大,以能夠承受較大功率和電流。功率半導體一般具有一個主要的活動區域,通過控制該區域內的電壓、電流、電場分布來控制器件的操作性能。集成電路通常是采用硅材料作為基底,通過沉積、刻蝕、掩膜、擴散等一系列工藝,將各種器件(如晶體管、電阻、電容等)集成在芯片上。集成電路的體積較小,電極尺寸較小,能夠在一個芯片上實現大量的功能。三、應用領域功率半導體主要應用于功率電子領域,如電源、變頻器、電機驅動等。功率半導體器件通常要求能夠承受較高的電壓和電流,具有良好的導電和散熱性能,用于實現能量的變換和控制。集成電路主要應用于計算機、通信、消費電子等領域。集成電路通過將大量的器件集成在芯片上,實現了電子電路的微型化和集成化,能夠實現復雜的功能,提高系統集成度和性能。四、工作原理功率半導體的工作原理主要是利用半導體材料中的載流子運動特性來控制器件的電導率。例如,功率MOSFET的導通與截止取決于柵極-源極電壓以及柵極與基體之間的陽極電勢差,通過控制柵極-源極電壓可以實現MOSFET的開關控制。集成電路的工作原理與其所集成的具體器件相關。例如,數字集成電路中的晶體管主要負責放大和開關操作,邏輯門電路則由多個晶體管組成,用于實現各種邏輯功能。五、制造工藝功率半導體一般采用傳統的半導體制造工藝,包括材料生長、晶體管形成、金屬電極制作等步驟。在材料選擇上,功率半導體通常使用硅、碳化硅等具有較好導電和散熱性能的材料。集成電路的制造工藝相對復雜。它主要采用半導體工藝,包括光刻、擴散、離子注入、薄膜制備等步驟。具體工藝過程還涉及到晶圓尺寸、層次數、精度、線寬等因素。總結:功率半導體和集成電路是兩種不同類型的電子器件,它們在應用領域、結構、工作原理以及制造工藝等方面都有較大的差異。功率半導體主要應用于功率電子領域,能夠承受較大功率和電流;集成電路主要應用于計算機、通信等領域,通過將大量器件集成在芯片上,實現電子電路的微型化和集成化。對于不同的應用需求,我們可以選擇適合的器件來實現相應的功能。
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