4008-622-911
意法半導(dǎo)體TSB7192A雙放大器介紹、特性以及應(yīng)用
意法半導(dǎo)體TSB7192A雙放大器具有22 MHz帶寬的軌到軌輸入和輸出功能。它的工作從2.7 V到36 V的供電電壓。這個(gè)放大器提供了出色的精度保證的300μV輸入補(bǔ)償電壓最大值25°C。寬電源電壓、寬帶寬、低噪聲、軌對(duì)軌能力和精度的組合使TSB7192A完美地適用于各種應(yīng)用，如有源濾波器、電機(jī)控制、致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)、霍爾效應(yīng)傳感器和電阻式傳感器。
特性
軌對(duì)軌的輸入和輸出
低偏移電壓:300μV最大
寬電源電壓范圍:2.7 V至36 V
增益帶寬產(chǎn)品:22 MHz
轉(zhuǎn)換速度:12 V /μ年代
低噪音:12 nV/√Hz
穩(wěn)定的增益+10/-9
集成的EMI濾波器
標(biāo)準(zhǔn)miniSO8包
2 kV HBM靜電耐受性
擴(kuò)展溫度范圍:-40°C至+125°C
應(yīng)用程序
高側(cè)和低側(cè)電流傳感
霍爾效應(yīng)傳感器
數(shù)據(jù)采集與儀表
測(cè)試和測(cè)量設(shè)備
電機(jī)控制
工業(yè)過(guò)程控制
應(yīng)變儀
推薦產(chǎn)品+
相關(guān)推薦
-
-
高達(dá)220億美元！傳德國(guó)擬撥款提振芯片生產(chǎn) 超7成將流入英特爾和臺(tái)積電
據(jù)媒體報(bào)道，德國(guó)政府正計(jì)劃撥款200億歐元（約合220億美元）支持國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體制造業(yè)。參與談判的人士透露，這筆資金將從“氣候與轉(zhuǎn)型基金”中提取，在2027年前分配給本土公司和國(guó)際企業(yè)。去年7月，德國(guó)聯(lián)邦政府批準(zhǔn)了總額約1775億歐元的“氣候與轉(zhuǎn)型基金”，基金原先定于使用在能源轉(zhuǎn)型和氣候保護(hù)方面，之后范圍被擴(kuò)大。消息人士稱，目前政府內(nèi)部正在就撥款進(jìn)行談判，結(jié)果將在未來(lái)幾周內(nèi)公布。德國(guó)政府先前已經(jīng)同意為英特爾公司300億歐元的新工廠提供100億歐元的援助，消息人士補(bǔ)充稱，政府有望向英飛凌、臺(tái)積電等公司提供總計(jì)約70億歐元的補(bǔ)貼。另外還有至少30億歐元用于其他項(xiàng)目，可能惠及格芯和博世在德國(guó)現(xiàn)有的工廠。媒體認(rèn)為，德國(guó)此舉意在支撐該國(guó)的科技行業(yè)并確保關(guān)鍵零部件的供應(yīng)，以防止重現(xiàn)新冠疫情初期“缺芯”的困難局面。不過(guò)分析指出，大部分資金流向了非歐洲公司，其中幾乎一半給了美國(guó)的英特爾。在上月與英特爾達(dá)成價(jià)值近100億歐元的補(bǔ)貼協(xié)議后，德國(guó)副總理兼經(jīng)濟(jì)和氣候保護(hù)部長(zhǎng)羅伯特·哈貝克表示，該國(guó)將扶持戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的具體項(xiàng)目，“我們不會(huì)為所有人提供資金，而只會(huì)支持選定的項(xiàng)目”。哈貝克指出，半導(dǎo)體尤其重要，“未來(lái)它們將無(wú)處不在”，因此補(bǔ)貼英特爾在德國(guó)的超300多億歐元投資是對(duì)經(jīng)濟(jì)安全的投資。另外，德國(guó)政府就投資臺(tái)積電在東部德累斯頓建廠的談判已經(jīng)進(jìn)入了最后階段，知情人士透露，多達(dá)50億歐元的補(bǔ)貼編入了預(yù)算，約占新廠預(yù)估投資額100億歐元的一半。德國(guó)政府還為英飛凌指定了約10億歐元的援助，約占其德累斯頓新廠投資額50億歐元的20%。
-
![[電路百科]全橋逆變電路原理詳解](/images/hangyenews/yxykj-ic_img/yxykj-ic_202310161003270.png "[電路百科]全橋逆變電路原理詳解")
-
[電路百科]全橋逆變電路原理詳解
單相逆變不間斷電源設(shè)計(jì)電路中的全橋逆變電路部分。它是由兩個(gè)IR2101驅(qū)動(dòng)和4個(gè)MOS管構(gòu)成的全橋逆變電路。提問(wèn)：IR2101不是半橋驅(qū)動(dòng)芯片嗎？沒(méi)錯(cuò)，的確是半橋驅(qū)動(dòng)芯片，和IR2104一樣的，常被用在三相逆變電路中做三個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)逆變電路來(lái)生成三相波。那組成全橋逆變電路又是什么原理呢。我們首先來(lái)看一下IR2101的常用連接電路和內(nèi)部電路?？催@些可能看不明白，結(jié)合內(nèi)部電路和我們的設(shè)計(jì)電路來(lái)一起看就會(huì)清楚很多。我們都知道MOS管需要高電平導(dǎo)通工作（大概15V±5V左右）。本設(shè)計(jì)電路中，D3和C5會(huì)和負(fù)載共同構(gòu)成一個(gè)常見(jiàn)的Boost升壓電路，會(huì)在芯片8腳（也就是VB腳）上產(chǎn)生一個(gè)較高的電壓，從而成功驅(qū)動(dòng)MOS管開(kāi)閉。C5升壓就需要IR2101先開(kāi)通低端MOS管（Q5），來(lái)給C5充電，然后再開(kāi)高端MOS管（Q6）；如果上橋需要保持一個(gè)比較長(zhǎng)的時(shí)間則需要重復(fù)充電的動(dòng)作來(lái)保證VB腳的電位不會(huì)低于一個(gè)較高的電位（高于1腳電壓10V左右）電壓型全橋逆變電路可看成由兩個(gè)半橋電路組合而成,共4個(gè)橋臂,橋臂3和6為一對(duì),橋臂4和5為另一對(duì),成對(duì)橋臂同時(shí)導(dǎo)通,兩對(duì)交替各導(dǎo)通180°半橋恒導(dǎo)通，即Q3和Q6恒導(dǎo)通，這樣上管Q3的源極電位就變成了VCC，而柵級(jí)必須比源級(jí)高10V～20V才能保持Q3的DS導(dǎo)通，否則MOS管會(huì)進(jìn)入線性區(qū)開(kāi)始發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)IR2101的5腳和7腳是互補(bǔ)輸出，一個(gè)是高電平輸出，另一個(gè)就是低電平輸出，這也確保了導(dǎo)通的上橋升壓電容充電正常。
哦! 它是空的。