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不過,張忠謀并不支持臺積電赴美建廠,從一開始就是堅定拒絕的,他曾表示:“美國進入半導體制造市場是極其幼稚的行為。”近日,在一場會議場合里,張忠謀再一次談到了美國力拼芯片生產落地,他指出:“吸引赴美設廠投資金額為520億美元,其中390億美元為美國政府補貼,但這是多年補貼合計總額,而臺積電每年平均投資300億美元,甚至更多,這是否能解讀為美國吸引投資金額相對小。”“無論是美國‘芯片法案’或其他法案,我覺得都是蠻浪費的。”張忠謀重申。臺積電再次敗走美國?實際上,張忠謀不支持臺積電在美國建廠并非只是情緒上的抵觸,而是有充分的理論驗證。1995年,臺積電就曾主動公開表示,將在美國建立自己的工廠。1996年,臺積電正式將這個想法付諸行動,在美國華盛頓州的卡瑪斯建立自己第一座北美晶圓廠,這也是當時臺積電在臺灣島外第一座8英寸晶圓代工廠。臺積電首座美國工廠命名為WaferTech,最開始走的是合資路線,出資方除了臺積電還有Altera、ADI和ISSI,臺積電初期占股57.23%,后來臺積電收購了全部股份。從1996年到2001年,WaferTech僅僅用了短短5年的時間就教育了臺積電——在發達國家建廠需謹慎。按照計劃,WaferTech需要在1998年初量產,不過一直拖到了當年的9月份,WaferTech才開始正式出貨。并且,剛剛量產就在隨后一個季度出現了數億臺幣的設備折舊。與此同時,臺積電開始對美國建廠的高成本有所了解,首先是人力成本高,然后是資源配比也不給力,這導致WaferTech扭虧的時間晚了一年,臺積電也就沒有繼續擴產的打算。根據臺積電的財報數據,2021年WaferTech營收僅為新臺幣77.35億元,該年度臺積電整體營收高達1.59萬億新臺幣。在美國開始表達出本土芯片制造規劃并計劃拉攏臺積電時,張忠謀就回憶過WaferTech的經歷,他表示:“我們對成本預期非常天真,最終在美國制造芯片比臺灣貴了 50%,在美國建晶圓廠簡直是一場噩夢。”如今,噩夢再一次上演了。自2017年開始,美政府多次邀約臺積電赴美建廠,多次被臺積電回絕了。從2017年至2020年,美政府和臺積電之間經歷了數十場會面,包括交換意見、談判和調研等。最終,在2020年,由于胳膊擰不過大腿,臺積電答應赴美建廠。這一次,臺積電工廠選址在亞利桑那州。2020年5月15日,臺積電正式宣布了美國建廠計劃,最初承諾投入120億美元,計劃于2022年12月建設完畢,并逐步開始生產。很明顯,由于疫情等原因,最終這項計劃流產了。2022年底,臺積電將這項計劃追加到400億美元,將建成兩座工廠,分別代工5nm及3nm芯片。按照臺積電的最初計劃,5nm工廠將會在2024年全面運作,每月生產 2 萬片芯片。但是,歷史再一次重演了,由于找不到合適的工人,加上基礎設施進展不達預期,5nm工廠的量產運作時間已經調整到2025年。更加讓臺積電惱火的事情是,正如張忠謀所言,美國《芯片法案》的投資是長期的,但是一期的費用也太少了。在臺積電宣布投資增加到400億美元時,據知情人士透露,美政府給到臺積電的投資為10億-20億美元規模,這個補貼和當初承諾的高昂補貼似乎完全不搭邊。雖然投資少,但是美政府給臺積電制造的困難卻不少。由于初期建廠找不到合適工人和技術人員,臺積電計劃從臺灣當地調人去美國。不過,美政府隨后知會臺積電,要求臺積電在美國建廠用到的材料、人力等必須由美國當地供應。這個政策頒布之后,臺積電內部人士和供應商表示,保守估計,臺積電美國廠的成本將會是臺灣工廠的10倍。另外,有臺積電WaferTech工廠管理人員表示,更大的挑戰在工廠投運后,亞利桑那州水資源的短缺,以及美國工人懶散的態度將會讓量產成本非常高昂。WaferTech經過這么多年的優化,利潤率依然比臺灣工廠低近一成,新工廠的盈利壓力可想而知。強行回流代價高昂臺積電沒有主動意愿去美國建廠嗎?當然不是,WaferTech就已經證明,不考慮其他成本方面的問題,臺積電是非常看好美國建廠計劃的。同時,從公司層面來說,如果各項成本都能夠得到合理的控制,美國工廠會給臺積電帶來莫大的好處。根據相關統計數據,在臺積電的股權結構中,外國資本占比高達80%,其中很大一部分是美資;在臺積電的客戶中,美國客戶占據了64%的產能。這些數據都讓臺積電有動力去美國建廠。但是,美國工廠要正常運轉,需要滿足太多理想化的前提,這終究不是一門好生意。原因主要有三個方面。首先,全球晶圓代工產業經過長期的發展,已經在東亞形成了極高的集中度,產能主要分布在中國臺灣、韓國、日本、中國大陸等東亞國家和地區,產業配套也基本圍繞東亞布局。其次,東亞是出了名的人力成本低,晶圓代工除了資源密集和技術密集之外,人力資源也非常密集,好工人當然更容易出在東亞,因為他們性價比更高。第三就是張忠謀所說的投資問題。能夠看到,臺積電自己在美國工廠的計劃投入已經超過了美國《芯片法案》的全部建廠金額。所以,張忠謀可以非常有底氣地說,美國政府想要在短期內復刻一個臺積電出來,那是不可能完成的任務。所以,總結而言就是,美政府在錢不到位的情況,還想要逆產業大趨勢讓芯片制造回流,那么總歸需要人買單,或許是晶圓代工廠,或許是芯片公司,也或許是終端客戶。然而,在產業下行周期里,芯片公司和終端客戶都是強勢一方,那么如果繼續推行且產業沒有反彈,臺積電只能自己再一次吞下苦果。
臺積電再次敗走美國?
強行回流代價高昂
汽車設計人員希望使用能將應用遷移到以太網網絡的技術來取代傳統的網關子系統,以便輕松獲取從邊緣到云端的信息。為了向OEM廠商提供車規級以太網解決方案,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出首批車規級以太網PHY。10BASE-T1S系列器件符合AEC-Q100一級資質,型號包括LAN8670、LAN8671和LAN8672。LAN8670/1/2 10BASE-T1S以太網PHY已具備功能安全就緒,設計用于ISO 26262應用。借助這些器件,之前需要自帶通信系統的低速器件現在可以連接到汽車應用的標準以太網系統中。Microchip汽車產品業務部副總裁Matthias Kaestner表示:“Microchip通過推出10BASE-T1S系列產品,繼續優先為汽車行業提供連接解決方案。這項新技術將把物理世界中使用的傳感器和執行器一直連接到云端,使無縫以太網架構無處不在。”將多個以太網PHY連接到一條共同的總線線路使得在單一的流行架構上部署汽車應用更加簡單,同時通過減少布線和交換機端口節省了部署成本。LAN8670/1/2使網絡邊緣能夠使用以太網和互聯網協議(IP),輕松地與網絡基礎設施的其他部分進行通信。這些設備包括高級PHY診斷,為用戶提供故障排除能力。此外,睡眠/喚醒功能支持低功耗模式。10BASE-T1S器件的特性包括10 Mbps、半雙工模式、靈活的點對點拓撲結構,具備多條總線線路并使用單對平衡導線。這些器件還具有增強的電磁兼容性/電磁干擾(EMC/EMI)性能,并支持時間敏感網絡(TSN),可使遠距離以太網網絡實現同步計時。時間同步對整個汽車分區架構中諸多應用至關重要。Microchip是制定IEEE汽車級10BASE-T1S技術標準的主要貢獻者之一。這項技術將以太網的覆蓋范圍擴大到通常處于網絡最邊緣的設備,從而簡化了系統設計。開發工具LAN8670/1/2 10BASE-T1S以太網PHY得到EVB-LAN8670-RMII、EVB-LAN8670-USB和MPLAB? Harmony v3支持。定價與供貨新發布的器件已可購買,如需采購Microchip微芯系列的產品歡迎隨時聯系我司:4008-662-911。
【霍爾傳感器故障原因及注意事項】霍爾傳感器故障原因及注意事項,為你解讀傳感器隱患傳感器的重要作用傳感器在現代科技中發揮著重要的作用,尤其是霍爾傳感器。它能夠測量磁場的變化,并將其轉化為電信號。因此,霍爾傳感器廣泛應用于許多領域,如汽車電子、工業自動化、醫療設備等。常見故障原因然而,霍爾傳感器也存在一些常見的故障原因。首先,由于傳感器的特殊性,一些外界因素可能導致其工作不正常。例如,電磁干擾、溫度變化以及振動等因素都可能對傳感器造成影響。其次,傳感器的老化和磨損也是常見的故障原因。長時間的使用和摩擦會導致傳感器性能下降,甚至失效。故障表現及解決方法當霍爾傳感器發生故障時,我們可以通過一些表現來判斷。例如,傳感器無法正常測量磁場變化、輸出信號不穩定或者校準錯誤等。為了解決這些問題,我們可以采取一些措施。首先,及時清理傳感器周圍的雜質和污垢,確保傳感器的正常工作環境。其次,定期檢查傳感器的線路連接情況,確保連接牢固可靠。最后,若傳感器出現老化或磨損,及時更換新的傳感器。注意事項在使用霍爾傳感器時,我們需要注意一些事項,以避免故障的發生。首先,避免暴露在強磁場附近,因為強磁場可能會對傳感器產生干擾。其次,要注意傳感器的溫度范圍,確保在合適的溫度下工作。此外,避免長時間的高溫和低溫環境,以免影響傳感器的壽命。最后,定期進行維護和保養,確保傳感器的正常工作狀態。通過了解霍爾傳感器的故障原因及注意事項,我們可以更好地使用和維護這一重要的傳感器。合理的使用和維護不僅可以延長傳感器的使用壽命,還可以提高工作效率和安全性。
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