4008-622-911
一文了解意法半導體STM32H743IIT6單片機的工作原理、特性以及應用
意法半導體STM32H743IIT6單片機基于高性能Arm?Cortex?-M7 32位RISC內核，工作頻率高達400 MHz。Cortex?-M7核心采用浮點單元（FPU），支持Arm?雙精度（符合IEEE 754）和單精度數據處理指令和數據類型。STM32H743IIT6支持全套DSP指令和內存保護單元（MPU），以增強應用程序的安全性。
STM32H743IIT6單片機包含高達2M字節的高速嵌入式存儲器、1M字節的RAM（包括192K字節的TCM RAM、864K字節的用戶SRAM和4K字節的備份SRAM），以及連接到APB總線、AHB總線、，2x32位多AHB總線矩陣和支持內部和外部存儲器訪問的多層AXI互連。
所有設備都提供三個ADC、兩個DAC、兩個超低功率比較器、一個低功耗RTC、一個高分辨率定時器、12個通用16位定時器、兩個用于電機控制的PWM定時器、五個低功耗定時器和一個真隨機數發生器（RNG）。這些設備支持用于外部sigma-delta調制器（DFSDM）的四個數字濾波器。它們還具有標準和高級通信接口。
STM32H743IIT6應用
電機驅動和應用控制
醫療設備
工業應用：PLC、逆變器、斷路器
打印機和掃描儀
報警系統、視頻對講和暖通空調
家用音頻設備
移動應用程序、物聯網
可穿戴設備：智能手表
STM32H743IIT6特性
核心
?32位Arm?Cortex?-M7內核，帶雙精度FPU和L1緩存：16 KB數據
以及16K字節的指令高速緩存；頻率
高達480 MHz，MPU，1027 DMIPS/
2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP
存儲
?高達2兆字節的閃存，支持邊讀邊寫
?高達1兆字節的RAM：192千字節的TCM
RAM（股份有限公司64K字節的ITCM RAM+
128 KB DTCM RAM，用于時間關鍵型
例程），高達864 KB的用戶SRAM，以及
備份域中4 KB的SRAM
?雙模Quad SPI存儲器接口
運行頻率高達133 MHz
?具有高達
32位數據總線：SRAM、PSRAM、，
SDRAM/LPSSDR SDRAM、NOR/NAND閃存
內存時鐘高達100MHz
同步模式
?CRC計算單元
安全
?ROP、PC-ROP、主動夯實機
通用輸入/輸出
?多達168個具有中斷功能的I/O端口
重置和電源管理
?3個獨立的電源域，可以
獨立時鐘門控或關閉：
–D1：高性能能力
–D2：通信外圍設備和定時器
–D3：復位/時鐘控制/電源管理
?1.62至3.6 V應用電源和I/O
?POR、PDR、PVD和BOR
?嵌入3.3 V的專用USB電源
提供內部PHY的內部調節器
?嵌入式調節器（LDO），可配置
提供數字電路的可縮放輸出
?運行和停止模式下的電壓縮放（6
可配置范圍）
?備用調節器（~0.9 V）
?模擬外圍設備/VREF的參考電壓+
?低功耗模式：睡眠、停止、待機和
支持電池充電的VBAT
低功耗
?VBAT電池充電工作模式
能力
?CPU和域電源狀態監控引腳
?待機模式下2.95μA（備份SRAM關閉，
RTC/LSE打開）
時鐘管理
?內部振蕩器：64 MHz HSI，48 MHz
HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI
?外部振蕩器：4-48 MHz HSE，
32.768 kHz LSE
?3×PLL（1用于系統時鐘，2用于內核
時鐘）
互連矩陣
?3個總線矩陣（1個AXI和2個AHB）
?橋梁（5×AHB2-APB，2×AXI2-AHB）
4個DMA控制器卸載CPU
?1×高速主存儲器直接訪問
支持鏈表的控制器（MDMA）
?2×帶FIFO的雙端口DMA
?1×基本DMA，具有請求路由器功能
多達35個通信外圍設備
?4×I2Cs FM+接口（SMBus/PMBus）
?4×USART/4x UART（ISO7816接口，
LIN、IrDA、高達12.5 Mbit/s）和1x LPUART
?6×SPI，3個，帶多路復用雙工I2S音頻類
通過內部音頻PLL或外部
時鐘，LP域中的1x I2S（最高150 MHz）
?4個SAI（串行音頻接口）
?SPDIFRX接口
?SWPMI單線協議主I/F
?MDIO從機接口
?2×SD/SDIO/MMC接口（最高125 MHz）
?2×CAN控制器：2個帶CAN FD，1個帶
時間觸發CAN
?2×帶LPM和BCD的USB OTG接口（1FS、1HS/FS）無晶體解決方案
?帶DMA控制器的以太網MAC接口
?HDMI-CEC
?8至14位攝像頭接口（最高80 MHz）
11個模擬外圍設備
?3×ADC，最大分辨率為16位（最高可達36
通道，最高3.6 MSPS）
?1個溫度傳感器
?2×12位D/A轉換器（1 MHz）
?2×超低功率比較器
?2×運算放大器（7.3 MHz帶寬）
?∑-Δ調制器的1×數字濾波器
（DFSDM），帶8個通道/4個濾波器
圖樣
?高達XGA分辨率的LCD-TFT控制器
?Chrom ART圖形硬件加速器?
（DMA2D）以減少CPU負載
?硬件JPEG編解碼器
多達22個定時器和看門狗
?1×高分辨率定時器（最大2.1 ns
分辨率）
?2×32位定時器，最多4個IC/OC/PWM或
脈沖計數器和正交（增量）
編碼器輸入（最高240 MHz）
?2×16位高級電機控制定時器（最多
240兆赫）
?10×16位通用定時器（最多
240兆赫）
?5×16位低功耗定時器（最高240 MHz）
?2個看門狗（獨立和窗口）
?1×SysTick計時器
?具有亞秒精度和硬件的RTC
日歷
調試模式
?SWD和JTAG接口
?4K字節嵌入式跟蹤緩沖區
真隨機數發生器（每個3個振蕩器）
STM32H743IIT6供電方案圖
STM32H743IIT6引腳
推薦產品+
相關推薦
-
-
中國科大在鈮酸鋰高頻聲波器件領域取得重要進展
近日，中國科大微電子學院左成杰教授課題組兩篇論文入選2023年國際微波會議（IMS，全稱為：IEEE International Microwave Symposium）。IEEE IMS是國際微波領域的全球著名學術會議，IMS 2023于6月11日至16日在美國San Diego舉辦，今年在微波聲學方向總共只收錄了6篇Oral論文，其中包括中國科大的2篇。隨著無線通信從5G向Beyond 5G (B5G)和6G發展，有些國家已經將6 GHz全頻段授權用于Wi-Fi 7，而更多的國家在考慮將此頻段部分用于蜂窩無線通信（5.5G或者6G）。因此，源于對不同制式和頻段間信號的隔離需求，工作在6 GHz的高品質因數（Q值）聲波諧振器以及高性能濾波器將會成為下一階段無線通信發展的關鍵技術。另一方面，Sub-7 GHz頻段的大規模使用（包括6G、Wi-Fi 7、UWB等）將會導致頻帶越發地擁擠，所以針對更高頻率（甚至毫米波頻段）的無線通信技術的布局與探索也顯得至關重要。因此，6 GHz及以上的高頻、高性能聲波諧振器和濾波器都是我國6G以及Wi-Fi產業發展必須要自主可控的基礎元器件和核心芯片技術。左成杰教授課題組針對上述戰略需求做了以下兩項工作：1、高滾降無雜散S1模態高頻聲波濾波器針對6 GHz頻段的濾波器，該課題組前期實現了一階對稱蘭姆波（簡稱S1模態）諧振器Q值的突破（Zhongbin Dai, et al., IEEE Electron Device Letters, vol. 43, no. 7, 2022），但由于這一模態的寄生振動復雜，在濾波器設計中使用S1模態諧振器仍然存在很大的挑戰。雜散振動不僅會導致濾波器帶內紋波大，還會惡化插入損耗。因此，基于已有諧振器的高Q值特性，抑制S1模態的雜散振動，是實現高滾降濾波器的有效方案。該課題組研究了基于X切向的鈮酸鋰壓電薄膜中S1模態的傳播特性，分析了雜散模態產生的原因，研究了自由壓電區域和金屬覆蓋區域對于雜散模態振動頻率和振動幅度的影響，選取了最佳的金屬間距和電極寬度，成功制備出了無雜散的S1模態高頻聲波諧振器。該研究采用一階T型拓撲結構的濾波器電路，能夠最大化地利用S1模態的高Q值特性，從而獲得最陡峭的滾降。最終測試結果表明，濾波器中的串聯諧振器的工作頻率在6.4GHz附近，帶內雜散模態被抑制，具有989的品質因數（Q值）和3.3%的機電耦合系數（k2）?；趲葻o雜散的S1模態諧振器，所制備的濾波器測試結果表明，中心頻率為6.4 GHz，插入損耗為2.6dB，帶內紋波小于0.5 dB，帶外抑制點深度為40dB。在通帶右側，基于諧振器高達989的Qp，濾波器在55 MHz的過渡帶內實現了從插入損耗2.6dB到40dB帶外抑制的陡峭滾降。這是國際上首次實現基于S1模態的6 GHz聲波濾波器，其性能證明了諧振器高Q值對于高頻濾波器設計的重要性。研究成果以“A 6.4-GHz Spurious-Free Acoustic Filter based on Lithium Niobate S1-Mode Resonator”為題發表在IMS 2023上，第一作者為中國科大微電子學院碩士生劉雪彥，微電子學院左成杰教授為論文的通訊作者。S1高頻無雜散聲波器件（a）諧振器截面示意圖，（b）諧振器SEM圖像，（c）諧振器測試導納曲線，（d）測試所得濾波器傳輸特性2、高機電耦合系數超高頻聲波諧振器當前，提高超高頻（> 20GHz）聲波諧振器的性能仍然存在很大的挑戰，頻率提高帶來的更大損耗導致諧振器難以實現高Q值；同時，更高的諧振頻率要求壓電薄膜更薄，這會導致器件的魯棒性降低。因此，尋找新的振動模態，以及革新壓電薄膜的襯底結構都是業界追逐的焦點。該課題組基于Y128°切向的鈮酸鋰壓電薄膜中第三階反對稱蘭姆波（簡稱A3模態）的傳播特性，選取了最佳的電極排布方向，并優化了薄膜的刻蝕工藝，成功制備出高機電耦合系數（k2）的超高頻聲波諧振器。該研究采用了X方向的電極排布，能夠最大化地激發鈮酸鋰薄膜中的A3模態，從而獲得最大的機電耦合系數。刻蝕工藝的優化能夠使諧振器的側邊具有更好的垂直度，從而能有效反射聲波能量回到諧振器體內，進而提升諧振器Q值。最終測試結果表明該器件的工作頻率在20.4GHz附近，具有461的品質因數（Q值）和6.95%的機電耦合系數（k2），表現出良好的器件優值（FoM =Q·k2= 32），這是當前已報道的工作在該頻段的最大諧振器優值。研究成果以“A 20.4-GHz Lithium Niobate A3-Mode Resonator with High Electromechanical Coupling of 6.95%”為題發表在IMS 2023上。第一作者為中國科大微電子學院博士生林福宏，微電子學院左成杰教授為論文的通訊作者。A3超高頻高耦合聲波諧振器 （a）諧振器SEM圖像，（b）諧振器測試導納曲線該兩項研究工作得到了國家重點研發計劃和國家自然科學基金的資助，也得到了中國科大微電子學院、中國科大信息科學技術學院、中國科大微納研究與制造中心、中國科大先進技術研究院、中國科學院無線光電通信重點實驗室的支持。
-
-
ATMEL愛特美爾和MICROCHIP微芯，一場技術巨頭的并購
ATMEL愛特美爾和MICROCHIP微芯，一場技術巨頭的并購ATMEL愛特美爾是一家半導體公司，成立于1984年，在微控制器、非易失性存儲器、射頻和安全解決方案等領域擁有廣泛的產品線。而MICROCHIP則是一家成立于1989年的半導體公司，專注于微控制器和模擬IC。雖然兩家公司都是半導體領域的重要企業，但直到2016年，他們之間的聯系才變得更加緊密。2016年4月，MICROCHIP宣布將以每股112美元的價格收購ATMEL，總交易金額約為32億美元。這一并購對于整個半導體行業來說，都是一次重要的事件。它不僅促進了ATMEL和MICROCHIP兩家公司的業務融合，也對整個半導體行業的發展產生了影響。ATMEL和MICROCHIP的并購，為兩家公司帶來了更多的技術和資源。在MICROCHIP的幫助下，ATMEL更加深入地涉足了模擬、功率管理和射頻技術。同時，MICROCHIP也從ATMEL的技術和專長中受益，拓展了自己的產品線和市場份額。此外，ATMEL和MICROCHIP的并購對于半導體行業來說，也是一個值得關注的事件。通過這一并購，半導體行業的競爭格局發生了變化，其中包括了對于競爭對手的壓力和對于市場份額的爭奪。ATMEL和MICROCHIP的并購，標志著兩家公司的合作更加緊密，也為整個半導體行業的發展帶來了新的機遇和挑戰。
哦! 它是空的。