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據(jù)日本《讀賣新聞》5月17日報道,日本首相岸田文雄最快5月18日將與臺積電、IBM、美光科技等全球芯片公司的高管會談。
報道稱,岸田文雄將呼吁這些企業(yè)進行投資并與日本公司合作。英特爾、應用材料、三星電子和比利時imec的高管也將出席。
知情人士稱,英特爾正在考慮在日本設立研發(fā)中心。
西部數(shù)據(jù)目前就NAND閃存生產(chǎn)業(yè)務合并進行談判,他們將打造全球最大的NAND閃存制造商。該計劃涉及剝離西部數(shù)據(jù)的閃存業(yè)務部門,即將敲定,但細節(jié)仍在審議中。如果一切按預期進行,合并將獲得日本主要銀行的大量財務支持。據(jù)悉,西數(shù)與鎧俠將加強雙方在NAND閃存領域的競爭力,挑戰(zhàn)三星的市場領導者地位,同時也會對SK海力士和美國構成更大的挑戰(zhàn)。不過,兩家廠商在合并的道路上仍會面臨許多挑戰(zhàn),比如全球各地監(jiān)管機構的審查,以及競爭對手及相關利益者的反對。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù),2023 年第二季度,鎧俠在 NAND 內存市場擁有 19.6% 的份額,而西部數(shù)據(jù)則獲得 14.7% 的份額。三星和SK海力士也持有大量股份,分別為31.1%和17.8%。因此,鎧俠和西部數(shù)據(jù)合并后,市場份額達到了34.3%,超越三星成為最大的NAND閃存供應商。
提供高電壓與大電流,可驅動不同行業(yè)的標準MOSFET/IGBTLittelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司宣布推出FDA117光隔離光伏驅動器。 這款創(chuàng)新產(chǎn)品可產(chǎn)生浮動電源,是各行各業(yè)隔離開關應用的絕佳選擇。FDA117光隔離光伏驅動器FDA117專為使用浮動電壓源控制分立標準功率MOSFET和IGBT而設計,可確保低壓驅動輸入側和高壓負載輸出側之間的隔離。憑借5 mA至50 mA的輸入控制電流范圍、集成快速關斷電路和5 kVRMS的強化隔離,F(xiàn)DA117可提供足夠的電壓和電流,有效驅動分立功率MOSFET和IGBT。FDA117與其他產(chǎn)品的主要區(qū)別之一,是能夠產(chǎn)生高達15.3V電壓和60μA電流的浮動電源,適用于驅動標準MOSFET器件和IGBT。該功能可提高應用設計的靈活性,實現(xiàn)直接驅動標準MOSFET/IGBT器件,并且在不到0.5毫秒的時間內安全關閉外部功率半導體。可受益于FDA117的產(chǎn)品設計包括以下市場中的功率半導體應用(僅舉幾例):? 工業(yè)? 能量? 建筑自動化? 智能家居無論是用于定制固態(tài)繼電器設計、控制電力和負載,還是用于工業(yè)流程控制,F(xiàn)DA117都能提供必要的隔離屏障,保護設備和人員免受電氣危害。集成電路與單片機產(chǎn)品管理總監(jiān)Mark P. Smith談到:“為了讓客戶在應用設計方面獲得更大的靈活性,我們開發(fā)了FDA117,為現(xiàn)有光伏驅動器產(chǎn)品組合增加了一個單通道版本。高開路電壓和短路電流與5 kVRMS強化隔離電壓相結合,可有效擴大設計的靈活性。”FDA117采用4引腳DIP通孔和表面安裝式封裝,與市場上的其他光伏驅動器引腳兼容。這種兼容性確保了無需進行任何重大修改,可輕松集成到現(xiàn)有設計當中。FDA117光隔離光伏驅動器具有以下主要特性:? 運行時輸入控制電流低至5 mA? 可驅動標準功率MOSFET和IGBT? 提供范圍在10.5V至15.3V之間的浮動輸出電壓? 集成快速關斷電路,用于控制開關? 5,000 VRMS強化絕緣,提高安全性? 4引腳表面安裝和通孔封裝選項
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