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?探究發光二極管的電氣參數和特性，讓你更了解LED燈！
探究發光二極管的電氣參數和特性，讓你更了解LED燈！
一、LED的基本結構和工作原理
LED是一種半導體器件，由兩個P型和N型半導體材料構成，中間夾著一層n型半導體材料，形成PN結。當電流從P區注入到PN結時，電子和空穴結合釋放光能，形成LED燈。
二、LED的電氣參數
1. 正向電壓（VF）：當LED正向導通時，需要加上一定的電壓才能讓電流流過。VF是指LED正向工作時所需電壓。
2. 正向電流（IF）：LED正向導通時的電流大小。
3. 反向電流（IR）：LED反向時出現的電流，一般很小。
4. 發光強度（IV）：LED發光強度與正向電流大小有關，IV值越大，LED發出的光越亮。
5. 視角（θ）：指LED燈的光線散射范圍，一般用度數表示。
三、LED的特性
1. 長壽命：LED燈壽命長達數萬小時，比傳統燈泡壽命長得多。
2. 節能環保：LED燈具有高效節能、無污染等特點，是一種環保型的照明方式。
3. 多功能：LED燈可根據不同的應用環境和需求設計不同的燈具，如路燈、室內燈、汽車燈等。
LED燈具有長壽命、節能環保、多功能等特點，成為未來照明的主流，掌握LED的電氣參數和特性對于我們更好地了解LED燈的使用和選購至關重要。
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SK海力士反對，西數和鎧俠合并計劃出現新變數
NAND 閃存芯片制造商鎧俠（Kioxia）與西部數據（WD）的合并計劃目前迎來新變數，SK海力士周四表示其不同意日本鎧俠公司和美國西部數據公司間的合并，日美存儲芯片企業間交易面臨更多不確定性。SK海力士是全球第二大內存芯片制造商，同時也是鎧俠公司的股東。該公司在最新的Q3財報會議上表示，這項交易低估了其所持股份的價值。SK海力士在聲明中指出，綜合考慮本次合并對公司進行的投資資產價值影響，目前公司對該項還沒同意。據悉，西部數據（Western Digital）成立于1970年，是美國一家專門研發和生產電腦機械硬盤、固態硬盤和存儲芯片的公司，旗下包括閃迪SanDisk等品牌。而鎧俠（Kioxia）是分拆于日本東芝內存業務的存儲芯片公司，于2018年被出售給貝恩資本牽頭的財團，而SK海力士是該財團成員之一。在收購時規定，最大股東貝恩資本必須征得SK海力士等出資人的同意才能推動合并。目前，存儲芯片領域的主要玩家包括三星、美光、西部數據、海力士、鎧俠等。據TrendForce集邦咨詢數據顯示，三星在NAND閃存芯片市場占據了超過三分之一的份額，鎧俠的份額接近19%，西部數據的份額為15%。西部數據和鎧俠多年來一直在討論可能的合并計劃，這兩家公司目前正尋求在本月結束談判，并希望在西部數據 10 月 30 日公布財報之前宣布交易。鎧俠此前還和日本投資公司（Japan Investment Corp．）接洽，希望注資以加快交易進程，但目前 SK 海力士已公開表示反對合并，因此整體計劃目前又迎來了新變數。
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芯片供電引腳為什么要放一個104電容？
很多時候，我們都會看到芯片引腳旁邊總會放一顆104小電容。這顆電容叫高頻旁路電容，一般也叫去耦電容。作用是濾除IC供電電源中的高頻諧波，降低電源中的雜波對芯片的干擾。首先來看看電容，電容的作用簡單的說就是存儲電荷。我們都知道在電源中要加電容濾波，在每個芯片的電源腳放置一個0.1uF的電容去耦。為什么芯片的電源腳旁邊的電容是0.1uF的或者0.01uF的，有什么講究嗎。要搞懂這個就要了解電容的實際特性。理想的電容它只是一個電荷的存儲器，即C。而實際制造出來的電容卻不是那么簡單，分析電源完整性的時候我們常用的電容模型如下圖所示。圖中ESR是電容的串聯等效電阻，ESL是電容的串聯等效電感，C才是真正的理想電容。ESR和ESL是由電容的制造工藝和材料決定的，沒法消除。那這兩個東西對電路有什么影響。ESR影響電源的紋波，ESL影響電容的濾波頻率特性。我們知道電容的容抗Zc=1/ωC，電感的感抗Zl=ωL,( ω=2πf),實際電容的復阻抗為Z=ESR+jωL-1/jωC= ESR+j2πf L-1/j2πf C。可見當頻率很低的時候是電容起作用，而頻率高到一定的時候電感的作用就不可忽視了，再高的時候電感就起主導作用了。電容就失去濾波的作用了。所以記住，高頻的時候電容就不是單純的電容了。實際電容的濾波曲線如下圖所示。參見上圖，我們想要的最好的濾波效果是在“谷”底，就是曲線凹進去的尖尖，在這個尖尖的時候，濾波效果做好，當我們的芯片IC內部的邏輯門在10-50Mhz范圍內執行的時候，芯片內部產生的干擾也在10-50Mhz,（比如51單片機），仔細看上圖的曲線，0.1uF電容 （有兩種，一種是插件，一種是貼片）的谷底剛好落在了這個范圍內，所以能夠濾除這個頻段的干擾，但是，當頻率很高的時候（50-100Mhz），就不是那么回事了，這個時候0.1uF電容個濾波效果就沒有0.01uF好了，以此類推，頻率再高，選用的濾波電容的量級還要變小，參考如下DC-100K 10uF以上的鉭電容或鋁電解100K-10M 100nF(0.1uF)陶瓷電容10M-100M 10nF(0.01uF)陶瓷電容>100M 1nF(0.001uF)陶瓷電容所以，以后不要見到什么都放0.1uF的電容，有些高速系統中這些0.1uF的電容根本就起不了作用。最后要注意，在PCB布局的時候，104要緊靠芯片并且電源和地回路要最短，否則起不到旁路的效果。參考如下
哦! 它是空的。