因存儲器市況低迷，三星電子將暫停韓國平澤園區(qū)第一工廠（P1）部分NAND Flash生產(chǎn)。該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)128層堆疊的第6代V-NAND。據(jù)悉，該設(shè)備將停產(chǎn)至少一個月，但可能會延長至2023年下半年。

目前，三星已經(jīng)減少了主要NAND Flash生產(chǎn)基地的晶圓投入，包括韓國平澤、華城以及中國西安。業(yè)界猜測三星的NAND Flash產(chǎn)量可能會減少10%左右。不過，鑒于市場持續(xù)低迷，三星在4月份發(fā)布的2023年Q1財報中正式宣布存儲器減產(chǎn)計劃。此外，三星在發(fā)布第Q2財報時表示，2023年下半年將重點削減NAND Flash領(lǐng)域的產(chǎn)量。

第6代128層V-NAND系列工藝相對成熟，成為減產(chǎn)目標(biāo)。目前，三星的主要銷售來自第7代和第8代V-NAND產(chǎn)品，分別為176層和236層。

據(jù)悉，半導(dǎo)體公司通常采用在減產(chǎn)期間保持設(shè)備運行而不生產(chǎn)晶圓的方法。這主要是因為如果設(shè)備完全關(guān)閉，重新啟動期間重新建立工藝、達(dá)到產(chǎn)量需要額外的時間和金錢投資。不過，三星正在考慮停止設(shè)備運轉(zhuǎn)，不僅是為了增強減產(chǎn)效果，也是為了削減成本。

據(jù)報道，包括半導(dǎo)體在內(nèi)的三星設(shè)備解決方案（DS）部門僅在2023年上半年就累計虧損8.94萬億韓元（約合67.2億美元）。因此，“降低成本”成為三星存儲業(yè)務(wù)目標(biāo)管理（MBO）目標(biāo)的重點之一。