4008-622-911
南京微盟ME321AM5G低功耗運算放大器的特性、應用以及電路布局說明
ME321 是一款軌到軌輸入輸出，電壓反饋運 算放大器。輸入共模范圍和輸出擺幅較大，最低工 作電源電壓僅為 2.1V,最高電壓可達 5.5V。工作環 境溫度范圍-40℃~125℃。 ME321 的靜態電流僅為 65uA，同時可以提供 1MHz 的單位增益帶寬。輸入失調電流僅為 10pA， 因此 ME321 可以廣泛應用在積分器，光電二極管， 壓敏傳感器等領域。軌到軌 I/O 可以為系統工程師 的設計提供極大的便利。低靜態電流適合應用于電 池驅動的低功耗系統環境。
特點
通用型，低功耗
軌到軌I/O,
輸入失調電壓典型值為0.8mV
增益穩定, 單位增益帶寬1MHz
低輸入偏置電流：10pA
工作電壓范圍：2.1V~5.5V
輸入電壓范圍：-0.1V~+5.5V(Vs=5.5V時)
低靜態電流：65uA
工作溫度范圍：-40℃~125℃
應用場合
傳感器
壓力傳感放大器
移動通訊設備
音頻輸出
便攜應用
煙霧監測
電池驅動的設備
封裝形式
5-pin SOT23-5
產品型號說明
腳位配置和功能
封裝
電源和旁路電容的布局
ME321 可以在電源電壓+2.1V~+5.5V，或在雙電源系統電壓±1.05V ~±2.75V 的范圍內工作。對于 單電源系統，電源需要使用旁路電容到地，通常用一個 0.1uF 的陶瓷電容，它必須放置在靠近+V S 引腳 的位置。對于雙電源系統，+V S 和 -V S 都需要用旁路電路耦合到地，通常用一個 0.1uF 的陶瓷電容。 在需要更好應用效果的電路中可以使用 2.2uF 的鉭電容進行替換。如圖所示：
電源和旁路電容布局
PCB 板走線布局
為了獲得最佳性能，設計 PCB 板時必須十分用心。良好的地線布局可以減小寄生電容和運放輸入 輸出引腳的噪聲，從而提高系統性能。為了減小寄生電容，需要盡量縮短 PCB 走線，外圍元器件的排 布需要盡可能靠近運放引腳。運放的輸入偏置電流典型值僅有 10pA，為了避免 PCB 板表面漏電流對運 放產生干擾，PCB 板的表面必須確保清潔干燥。
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兆易創新：存儲板塊第四季度價格觸底
近日，兆易創新發布2023年三季報。根據財報顯示，本報告期中兆易創新凈利潤減79.27%，三費占比上升明顯。截至本報告期末，公司營業總收入43.94億元，同比下降35.08%，歸母凈利潤4.34億元，同比下降79.27%。按單季度數據看，第三季度營業總收入14.29億元，同比下降28.14%，第三季度歸母凈利潤9769.39萬元，同比下降82.71%。從公司近一年的財務報表來看，在盈利能力方面，主營業務在產業鏈地位較高，有溢價權，營銷是有不小投入，行業有一定競爭壓力。兆易創新表示，第二季度毛利率為近幾年的階段性低點，原因在于市場需求弱，供 給處于相對過剩的狀態，同時市場競爭激烈，公司各產品的平均售價呈現下降 趨勢。公司毛利率近幾個季度呈現持續下降趨勢，目前判斷第二季度毛利率為 公司毛利率的階段性底部，再下降的空間不大，隨著行業趨勢的暖以及供需 的平衡，公司毛利率有望到相對正常的水平。對于公司狀況，兆易創新提到，目前隨著庫存的去化，公司產品成本結構得到了一定程度的改善。同時上游供應不再緊張，公司采購成本也 有一定程度的降低，有助于后續持續改善成本結構。大存儲包括用于手機、PC和服務器的DRAM(動態隨機存取內存)以及3D Nand的行情主要受到市場供需、技術進步和消費者需求等多種因素影響。存儲行業經歷了長時間的下跌周期，很可能在第三季度觸底。關于存儲行情，兆易創新表示，存儲經歷了約6-7個季度的下跌周期，在今年第三季度公司認為已經達到了價格的底部區間，隨著主要廠商的持續減產，達到了供需基本平衡的狀態。在今年三季度末大存儲出現一些價格反彈，此反彈對利基存儲有一定的帶動效應，利基存儲價格也在筑底并有微弱反彈。對于存儲芯片的走勢，兆易創新認為，明年公司認為大體上隨著減產效應的體現，供需會達到平衡的狀態，大存儲的價格有望延續反彈的走勢，但也不太會出現暴漲暴跌的情況；利基型DRAM也會隨著大存儲反彈的走勢，延續微弱反彈的趨勢。具體供需關系還要看明年需求的恢復情況以及主流廠商減產的持續時間。近日，兆易創新接受了很多機構調研，以下是半導體芯情整理的重要問題，供大家參考學習：問題 1、存儲板塊第四季度及明年景氣度的展望？回答：存儲分為大存儲和利基存儲兩大塊。大存儲包括用于手機、PC和服務器的DRAM以及3D Nand，主要供應商為以三星為代表的國際頭部廠商。大存儲經歷了約6-7個季度的下跌周期，在今年第三季度我們認為已經達到了價格的底部區間，隨著主要廠商的持續減產，達到了供需基本平衡的狀態。在今年三季度末大存儲出現一些價格反彈，此反彈對利基存儲有一定的帶動效應，利基存儲價格也在筑底并有微弱反彈。明年我們認為大體上隨著減產效應的體現，供需會達到平衡的狀態，大存儲的價格有望延續反彈的走勢，但也不太會出現暴漲暴跌的情況；利基型DRAM也會隨著大存儲反彈的走勢，延續微弱反彈的趨勢。具體供需關系還要看明年需求的恢復情況以及主流廠商減產的持續時間。在NOR Flash和SLC Nand Flash,其應用場景非常廣泛，隨著客戶以及渠道庫存的去化，以及消費類的恢復，產品需求量和消費量有所反彈。從公司的經營情況看，NOR Flash出貨總容量呈現逐季增長的趨勢；從行業和行業友商的情況來看，明年的需求會保持一個比較正常的狀態，各家的庫存情況應該會得到有效的去化，我們預計會逐漸恢復到供需平衡的狀態；從價格來看，NOR Flash和SLC Nand Flash過去幾個季度還是延續下跌的趨勢，近期看基本上跌幅在不斷縮小，已經趨于平穩，我們也會密切關注市場走勢和價格變動情況。問題 2、公司毛利率后續是否會持續改善？回答：三季度毛利率提升主要有兩個原因：一是隨著公司經營策略的演進，經銷DRAM業務大幅縮減。經銷DRAM業務毛利率非常低，此業務的大幅縮減對公司整體毛利率提升有幫助；二是三季度有一部分之前計提存貨減值的產品實現銷售，利潤沖回。從主要產品看，NOR Flash和MCU在三季度并沒有明顯的毛利率提升，產品平均價格還處于底部的區間。DRAM價格有微弱反彈，NOR Flash和MCU價格目前還在筑底過程中，我們認為需求和價格基本已到底部，但價格真正有效的反彈還要再持續觀察。第四季度是傳統的淡季，供需和價格會趨于平穩，明年毛利率的情況主要還是要看明年需求回暖的情況。問題 3、公司 DRAM 業務的整體規劃？回答：公司DRAM業務基于和核心供應商的戰略合作關系，在供應鏈上有保障。公司DRAM主要為利基型產品，即非應用于手機、PC、服務器的DRAM產品，包括小容量DDR4及LPDDR4、DDR3等產品。過去幾年公司DRAM業務處于從無到有開展技術研發的過程，經過努力DDR4實現量產，DDR3在2023年基本完成功能驗證和客戶導入的工作，目前處于良率提升和起量爬坡階段，有望在2024年為公司貢獻更多營收。公司也在積極開展8Gb DDR4等其他利基型DRAM產品研發，希望補齊整個標準接口利基型DRAM產品線，有效支撐公司DRAM業務發展，滿足客戶需求。問題 4、MCU 產品價格趨勢？回答：MCU 產品價格已經經歷了大約 4 個季度的下降，到今年第三季度價格基本趨于平穩，第四季度價格仍會是趨于平穩并筑底的階段。問題 5、M7 內核新產品目前的進展情況？回答：M7 內核 MCU 產品有多個系列，很多客戶在做導入，10 月份開始陸續進入量產，已經有部分型號產品量產交付，其他型號產品也會陸續進入量產階段，整體看還是比較順利。問題 6、目前 MCU 行業競爭激烈，公司對行業競爭格局的展望？回答：前兩年 MCU 缺貨，很多廠商進入 MCU 領域，市場競爭非常激烈。從公司多年 MCU 業務發展來看，MCU 產品比較有門檻，主要表現是 MCU 客戶群體非常分散，公司 MCU 客戶有 2 萬多家，由非常多的客戶才取得目前的規模，因此 MCU 產品形成較好體量難度比較大。今年行業整體下行的情況下，更加速了行業的洗牌，現在是一個非常艱難的內卷時期，但是隨著行業的洗牌，未來會越來越好。問題 7、公司目前存貨情況？回答：近幾個季度以來公司存貨呈逐步下降的趨勢，公司也在加大去庫存的力度。在產成品和半成品上，每個 BU 的情況不一樣，生產周期也不一樣，有的BU 產成品多一些，有的 BU 原材料庫存多一些。公司存貨的整體周轉情況與銷售狀況基本匹配，目前存貨周轉率大約是 5-6 個月。在存貨賬上，現在是一年以內的存貨居多，一年以上的存貨是少數。對于長賬齡存貨，包括即使是在一年以內的存貨，我們也會考慮未來的銷售情況計提相應減值，目前存貨減值計提充分。問題 8、晶圓和封測端成本的下降預計在什么時候會對公司毛利率提升有大幅明顯的體現？預計四季度毛利率通過成本優化帶來的提升空間如何？回答：公司存貨流轉狀況是按先進先出的原則，即先前高價庫存先出、后續低價庫存后出。在會計核算上則是按照加權平均計算，所以成本變化的幅度不一定和代工采購成本的變化完全相符，在成本端的體現會是一個平滑的過程。成本端變化帶來的毛利率變化，在不同 BU 也會有區別，因為不同 BU 的產品在其生產的晶圓廠代工價格有區別。問題 9、存儲周期上行的情況下，明年存儲產品價格上漲的彈性如何？回答：利基 DRAM 價格受主流 DRAM 價格的牽引，主流 DRAM 價格如果出現大幅反彈，會帶動利基 DRAM 的價格反彈。展望明年，主要還是看行業頭部供應商的產能策略和價格策略。NOR Flash 產品上，我們判斷現在供應較充足，主要供應商的產能都在正常狀態，整體產能在過去兩年的基礎上還有增長，如果市場需求在延續現有態勢上微弱反彈，目前產能還是可以滿足需求。在此情況下，我們判斷 NOR Flash 價格在下一輪供需平衡達成以前，不會出現明顯的上漲。需要在下一輪供需平衡達成并維持一段時間以后，觀察是否有新的需求牽引，帶動價格上漲。同時如果有部分供應商退出，也會減少整體的供應量，也可能推動價格上漲。公司仍延續既有戰略，以產品研發和市占率為主。問題 10、公司 DRAM 產品代工廠商產能情況？回答：公司為 Fabless 模式，所有的晶圓生產都由供應商伙伴來完成，包括利基 DRAM。目前公司利基 DRAM 產能正常。問題 11、公司 RISC-V架構產品情況？回答：2019 年公司即推出了 RISC-V 架構的 MCU 產品，今年 10 月公司新發布 RISC-V 架構雙模無線 MCU 產品，未來還會有更多的產品發布。ARM內核產品最大優勢在于生態非常完備，RISC-V 架構優勢在于成本更好，需要 RISC-V 架構產品的客戶通常對成本比較敏感，同時自身研發實力較強。公司會跟隨市場需求做技術準備并開發產品線。問題 12、公司車規 MCU 是否會有更多新產品發布？回答：會有新產品發布。公司車規 MCU 從車身域做起，逐漸會做到更高需求、更高功能安全等級的領域，包括底盤、動力域等。問題 13、公司半年報中庫存是原材料增加比較多，產成品下降比較多，三季度是否相同？原材料增加比較多的原因？回答：三季度的趨勢和二季度基本一致。從整體銷售額看，Flash 產品占比較大，存貨占比亦相應較高，存貨中大部分在原材料階段測試階段，并在生產周期允許的范圍內去生產。相比前端生產周期，封裝周期較短，一旦有市場需求，即可快速完成封裝形成產成品滿足客戶需求，因此公司存貨中原材料會多一些。問題 14、后續晶圓價格下降，在售價維持穩定、成本下降的情況下，四季度毛利率是否是上升的趨勢？回答：在成本端不會很快有大幅度的下降，因為產品生產周期較長，通常晶圓生產階段約 3-4 個月，封測階段約 1-2 個月，目前的產品會是至少在半年之前的訂單生產的產品。在此情況下，成本下降會是一個較慢一些的過程，帶來的毛利率提升也不會是一個快速的提升。同時四季度毛利率還需要觀察供需和產品售價的變化情況。問題 15、利基 DRAM 價格受主流 DRAM 價格的牽引，主流 DRAM 漲價會帶動利基 DRAM 漲價，從過往周期來看，這個過程需要多長時間？回答：利基 DRAM 價格和主流 DRAM 價格有趨同性，因為行業頭部的供應商既是主流 DRAM 的供應商，也是利基 DRAM 的主要供應商，但此價格的聯動性也并無一定之規。具體到每一款產品，還是根據供求關系來決定，前年也出現過 DDR3 某些款的產品，其價格漲幅比標準型 DRAM 漲幅更大的情況。
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鐵電存儲器FRAM的特點和應用領域
FRAM：從未來到現在的黑科技一直以來，存儲器技術都是電子領域的重要研究方向，而鐵電存儲器（FRAM）則是其中備受矚目的一種黑科技。那么，FRAM有什么獨特的特點？在哪些應用領域得到了廣泛的應用呢？接下來，我們將一一為你解密。1. FRAM的特點FRAM是一種非易失性存儲器，也就是說，即使斷電或重啟，存儲的數據仍然能被保留。相較于傳統的Flash存儲器和EEPROM存儲器，FRAM在存儲密度、讀寫速度、寫入壽命等方面都有著明顯的優勢。在存儲密度方面，FRAM的單元電路面積比EEPROM小得多，可以實現更高的集成度；在讀寫速度方面，FRAM的讀寫速度遠高于Flash存儲器，甚至可以達到納秒級別的響應時間；在寫入壽命方面，FRAM的寫入壽命可以達到101?次以上，是傳統Flash存儲器的數千倍。2. FRAM的應用領域由于其獨特的特點，FRAM在許多領域得到了廣泛的應用。以下是FRAM的主要應用領域：① 汽車電子FRAM可以應用于汽車電子中，如發動機控制系統、車載音響、自動駕駛等，可以提高系統的穩定性和可靠性。同時，FRAM還可以實現快速寫入和讀取，提高汽車系統的響應速度。② 工業自動化FRAM在工業自動化領域的應用也非常廣泛，如PLC（可編程邏輯控制器）、DCS（分布式控制系統）、機器人控制等。FRAM的高速度、高可靠性、非易失性等特點，可以提高工業自動化系統的效率和可靠性，減少維護成本。③ 智能電表FRAM可以應用于智能電表中，實現電量數據的存儲和讀取。與傳統的Flash存儲器相比，FRAM具有更高的讀寫速度和更長的寫入壽命，可以提高智能電表的計量精度和可靠性。④ 電子標簽FRAM可以應用于電子標簽中，實現數據的存儲和讀取。由于FRAM具有較高的存儲密度和較快的讀寫速度，可以實現更快速、更可靠的數據傳輸和存儲。隨著科技的不斷進步，FRAM的應用領域將會越來越廣泛。相信在不久的將來，FRAM將會成為電子領域中不可或缺的重要組成部分。
哦! 它是空的。