美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，速度高達(dá)8000 MT/s ，可支持當(dāng)前和未來的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。這些大容量、高速內(nèi)存模塊旨在滿足數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中各種關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序的性能和數(shù)據(jù)處理需求，包括人工智能、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫以及多線程、多核計(jì)數(shù)一般計(jì)算工作負(fù)載的高效處理。

采用 32Gb 芯片的 128 GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存采用美光的 1β (1-beta) 技術(shù)，能源效率提高達(dá) 24%，延遲降低高達(dá) 16%。此外，該系列內(nèi)存還優(yōu)化了芯片尺寸縱橫比，以提高 32Gb 容量 DRAM 芯片的制造效率。

美光32Gb DDR5內(nèi)存解決方案采用全新的芯片架構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的陣列效率和最密集的單片DRAM芯片。電壓域和刷新管理功能有助于優(yōu)化電力輸送網(wǎng)絡(luò)，提供市場(chǎng)急需的能效表現(xiàn)。此外，美光的 128 GB RDIMM 內(nèi)存將于 2024 年開始推出速度為 4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型號(hào)，未來將推出 8000 MT/s 的型號(hào)。

通過利用先進(jìn)的CMOS工藝，以及陣列效率的不斷改進(jìn)，美光每過三年就會(huì)將內(nèi)存密度翻一番，未來將繼續(xù)向48Gb(6GB)、64Gb(8GB)邁進(jìn)。

預(yù)計(jì)到2026年，美光將推出單條256GB甚至更大容量的MRDIMM，頻率也高達(dá)12800MHz。