隨著半導體組件制程逼近物理極限，允許將多個組件合并封裝成為單一電子組件，進而提升半導體性能的先進封裝技術便成為競爭關鍵。三星正在準備自己的先進封裝解決方案，以與臺積電的CoWoS封裝技術展開競爭。

據悉，三星計劃2024年推出先進3D芯片封裝技術SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級互連技術），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內存和處理器集成。三星SAINT將被用來制定各種不同的解決方案，可提供三種類型的封裝技術，其中包括：

SAINT S - 用于垂直堆疊SRAM存儲芯片和CPU

SAINT D - 用于垂直封裝CPU、GPU和DRAM等核心IP

SAINT L - 用于堆疊應用處理器（AP）

三星已經通過驗證測試，但計劃與客戶進一步測試后，將于明年晚些時候擴大其服務范圍，目標是提高數據中心AI芯片及內置AI功能手機應用處理器的性能。

如果一切按計劃進行，三星SAINT有潛力從競爭對手那里獲得部分市場份額，不過英偉達和AMD等公司是否會對他們提供的技術感到滿意還有待觀察。

據報道，三星正在爭奪大量HBM內存訂單，這些訂單將繼續為英偉達下一代Blackwell AI GPU提供支持。三星最新推出了Shinebolt“HBM3e”內存，還贏得了AMD下一代Instinct加速器的訂單，但與控制著約90%人工智能市場的英偉達相比，該訂單比例要低得多。預計兩家公司的HBM3訂單將在2025年之前預訂并售完，目前市場對AI GPU的需求仍保持旺盛。

隨著公司從單片設計轉向基于Chiplet（小芯片）的架構，先進封裝是前進的方向。

臺積電正在擴大CoWoS設施，同時大手筆斥資測試和升級自家3D堆疊技術SoIC，以滿足蘋果和英偉達等客戶需求。臺積電今年7月表示，投資900億元新臺幣（約29億美元）新建先進封裝廠；至于英特爾，開始使用自家新一代3D芯片封裝技術Fooveros制造先進芯片。

世界第三大晶圓代工廠聯電（UMC）推出晶圓對晶圓（Wafer-to-Wafer，W2W）3D IC項目，利用硅堆疊技術提供高效集成內存和處理器的尖端解決方案。

聯電表示，W2W 3D IC項目雄心勃勃，與日月光、華邦、智原科技（Faraday）和Cadence Design Systems等先進封裝廠及服務公司合作，以便充分利用3D芯片集成技術滿足邊緣AI應用的特定需求。