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圣邦微SGM8544C系列運算放大器的介紹、特性以及引腳應(yīng)用
SGM8544C是一款四路、低成本的電壓反饋放大器。該設(shè)備可以在2.1V到5.5V的單電源范圍內(nèi)工作，而每個放大器只消耗46μA的靜態(tài)電流。它提供具有寬輸入共模電壓范圍和軌對軌輸出電壓擺動的軌對軌輸入。這一特性使SGM8544C適合于緩沖ASIC。
SGM8544C提供1.1MHz的增益帶寬乘積和0.5pA的超低輸入偏置電流。它非常適合壓電傳感器、積分器和光電二極管放大器。
SGM8544C設(shè)計用于廣泛的應(yīng)用，如電池供電的儀表、安全監(jiān)測、便攜式系統(tǒng)和低功率系統(tǒng)中的傳感器接口電路。
SGM8544C采用綠色TSSOP-14封裝。它是在擴展的工業(yè)溫度范圍（-40℃至+125℃）內(nèi)指定的。
特征
低成本
輸入偏移電壓：0.8mV（TYP）
超低輸入偏置電流：0.5pA
單位增益穩(wěn)定
增益帶寬乘積：1.1MHz
軌對軌輸入和輸出
電源電壓范圍：2.1V至5.5V
輸入電壓范圍：-0.1V至5.6V，VS=5.5V
低電源電流：46μA/放大器
-40℃至+125℃工作溫度范圍
提供綠色TSSOP-14包裝
應(yīng)用
ASIC輸入或輸出放大器
壓電換能器放大器
電池供電設(shè)備
便攜式設(shè)備
傳感器接口
醫(yī)療器械
移動通信
音頻輸出
煙霧偵檢器
筆記本電腦
PCMCIA卡
移動電話
引腳
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ALTERA阿爾特拉10M08SCE144C8G可編程邏輯器件的中文參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域和功能特點
ALTERA（阿爾特拉）10M08SCE144C8G是一款現(xiàn)場可編程邏輯器件（FPGA），以下是其詳細(xì)的中文參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域和功能特點：一、中文參數(shù)?品牌?：ALTERA（阿爾特拉），現(xiàn)為Intel旗下品牌?產(chǎn)品種類?：FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列?系列?：MAX 10 10M08?邏輯元件數(shù)量?：8000?邏輯數(shù)組塊數(shù)量（LAB）?：500?輸入/輸出端數(shù)量（I/O）?：101?工作電源電壓?：2.85V~3.465V（或標(biāo)注為3V/3.3V）?最小工作溫度?：0°C?最大工作溫度?：+85°C?封裝/箱體?：EQFP-144，也有144-LQFP裸露焊盤版本?數(shù)據(jù)速率?：310Mb/s?最大工作頻率?：450MHz?安裝風(fēng)格?：SMD/SMT?RoHS?：是（符合環(huán)保要求）?濕度敏感性?：是二、應(yīng)用領(lǐng)域ALTERA 10M08SCE144C8G FPGA因其高性能和靈活性，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：?通信系統(tǒng)?：用于信號處理、數(shù)據(jù)路由和交換等功能，提高通信效率和可靠性。?工業(yè)自動化?：在控制系統(tǒng)中實現(xiàn)邏輯控制、數(shù)據(jù)采集和處理等功能，提升自動化水平。?消費電子?：如智能電視、音頻設(shè)備等，用于圖像處理、音頻解碼等多媒體應(yīng)用。?數(shù)據(jù)中心與云計算?：在服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中提供高速數(shù)據(jù)處理和存儲解決方案。?醫(yī)療電子?：用于醫(yī)療設(shè)備中的信號處理、控制邏輯等，確保醫(yī)療設(shè)備的準(zhǔn)確性和可靠性。三、功能特點?高集成度?：集成了大量的邏輯元件和I/O端口，滿足復(fù)雜系統(tǒng)的設(shè)計需求。?可編程性?：通過編程軟件可靈活配置邏輯功能，適應(yīng)不同的應(yīng)用場景。?高性能?：具有高速數(shù)據(jù)處理能力和低功耗特性，提高系統(tǒng)整體性能。?豐富的接口資源?：提供多種通信接口和存儲接口，方便與其他外設(shè)連接。?可靠性高?：采用先進的封裝技術(shù)和制造工藝，確保器件的穩(wěn)定性和可靠性。綜上所述，ALTERA 10M08SCE144C8G FPGA具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和顯著的功能特點，是設(shè)計高性能、高靈活性電子系統(tǒng)的理想選擇。如果貴司有芯片采購需求、BOM表配單、芯片樣品測試請聯(lián)系客服：4008-622-911或13823669944。
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Nexperia安世打造一系列更豐富的應(yīng)用專用 MOSFET——安世代理商永芯易
近年來，汽車行業(yè)正迅速邁入智能化和電動化的新紀(jì)元。新能源汽車的銷量與市場滲透率持續(xù)攀升。據(jù)彭博社預(yù)測，2023年，全球新能源汽車的銷量將達到1,410萬輛，其中中國市場將占據(jù)大約60%的份額。在汽車向電動化的轉(zhuǎn)型過程中，盡管 SiC 和 GaN 等第三代半導(dǎo)體材料備受關(guān)注，但電動汽車制造商仍對成本持保守態(tài)度。目前，成本效益高且性能穩(wěn)定的硅基 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）繼續(xù)在車載電子、電驅(qū)動以及電池管理系統(tǒng)中發(fā)揮核心作用。去年 MOSFET 的大量缺貨進一步突顯了這一點。 然而，要滿足日益增長的汽車市場，功率 MOSFET 需要不斷進行技術(shù)創(chuàng)新，以迎接更高的開關(guān)頻率、更大的功率密度和更低的功耗等眾多挑戰(zhàn)。面對這些變化和挑戰(zhàn)，作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，以效率致勝的 Nexperia，是如何穩(wěn)固根基，迎接汽車新時代的發(fā)展？又采取了哪些變革性的措施來推動汽車 MOSFET 技術(shù)的進步？封裝技術(shù)發(fā)展的齒輪加速轉(zhuǎn)動當(dāng)前，新能源汽車中半導(dǎo)體器件的使用數(shù)量創(chuàng)下新高，而且對小型、高性能和可靠器件的迫切需求幾乎貫穿所有電子產(chǎn)品市場。在這個趨勢下，封裝技術(shù)正扮演著至關(guān)重要的角色。在半導(dǎo)體的早期，封裝主要依賴于打孔技術(shù)（Through-Hole Technology, THT），TO-3是其中的代表封裝技術(shù)。隨著技術(shù)的發(fā)展，電子設(shè)備的尺寸逐漸縮小，對組件的集成度要求越來越高。這促使了表面貼裝技術(shù)（Surface Mount Technology, SMT）的出現(xiàn)和廣泛應(yīng)用。與 THT 相比，SMT 組件更小、更輕，可以直接焊接到電路板的表面，而無需打孔。這大大提高了生產(chǎn)效率并減小了組件的尺寸。表面貼裝技術(shù)（SMT）的發(fā)展對 MOSFET 的進步起到了很大的助推作用。首先是 SO-8 封裝技術(shù)，于20世紀(jì)80年代開始流行。它通常是長方形的，如同其名字，SO-8在兩側(cè)各有四個引腳，總計8個引腳。SO-8封裝通常由塑料制成，內(nèi)部有一個金屬引腳框架來連接芯片和外部電路。SO-8封裝為 MOSFET 提供了一個緊湊的解決方案，同時保持了適中的功率處理能力。在1990年代初，為滿足車用電子和工業(yè)應(yīng)用中對更好散熱的需求，DPAK（TO-252）和D2PAK（TO-263）這兩種表面貼裝封裝技術(shù)開始流行。它們都是3引腳設(shè)計，都具有金屬外殼，與 DPAK 相比，它的尺寸更大，通常用于更高的功率應(yīng)用。長久以來，汽車功率 MOSFET 主要依賴于這兩種較舊和較大的引線鍵合封裝。但是隨著行業(yè)對小尺寸、高功率密度和高電流處理能力的需求，這兩種封裝技術(shù)逐漸不能滿足需求。于是，2004年，Nexperia 推出了一項新的封裝技術(shù)——LFPAK銅夾封裝，這一封裝技術(shù)擁有與SO-8相似的尺寸，但卻可以帶來比 DPAK 和 D2PAK 更顯著的效率和性能優(yōu)勢。那么，這是如何實現(xiàn)的呢？在 D2PAK 及其各種版本中，芯片與封裝引出端之間通常是采用線纜連接，這種連接方式就限制了其能處理的電流量。而 Nexperia 的 LFPAK 所使用的銅夾片技術(shù)，在芯片和引出端之間提供更大面積的接觸，從而能夠處理更大的電流，提高輸出功率。而且銅夾還增強了芯片頂部和底部的散熱能力。特別是隨著 LFPAK88 的推出，LFPAK 銅夾封裝技術(shù)的卓越性能得到了充分的驗證。LFPAK88 采用8mm x 8mm的緊湊封裝尺寸，相比 D2PAK，空間節(jié)省效率高達60%（如圖1所示）。更值得注意的是，盡管尺寸更小，LFPAK88 的性能卻能夠?qū)崿F(xiàn)高出2倍的連續(xù)額定電流，終極熱性能和可靠性。LFPAK88堪稱D2PAK的理想替代品。目前，Nexperia 提供適用于汽車的 AEC-Q101和工業(yè)級的兩個版本。LFPAK88 不僅廣泛應(yīng)用于汽車動力轉(zhuǎn)向、ABS制動、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，同時也適用于電池隔離、電池供電工具和電熔絲電機控制等多個工業(yè)領(lǐng)域。Nexperia 的 BUK7S0R5-40H 是 LFPAK8 銅夾封裝的一個代表。這是一款符合汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的 N 溝道 MOSFET，甚至超越 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，其 -55°C至 +175°C 寬溫度范圍內(nèi)的額定性能，特別適合高溫環(huán)境。該產(chǎn)品采用了最新的 40V Trench 9低阻超結(jié)技術(shù)，通過減少單元間距和利用超級結(jié)構(gòu)造，在同等尺寸的情況下實現(xiàn)了低至0.55mΩ 的 RDSon。相較于標(biāo)準(zhǔn)的 Trench MOS，它在 SOA（安全操作區(qū)）和雪崩能力上都有所增強，而且對 V GS(th)（門源閾值電壓）的嚴(yán)格限制使得 MOSFETs的并聯(lián)應(yīng)用更為簡便。它的應(yīng)用場景廣泛，包括12V汽車系統(tǒng)、48V DC/DC 轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（12V次級側(cè)）、高功率電機、照明與電磁閥控制、反向極性保護，以及其他需要超高性能電源開關(guān)的場合。圖1：LFPAK88與D2PAK的尺寸比較近十年來，隨著移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，對小型和高性能 MOSFET 封裝的需求日益增長，QFN（四面平直無引腳封裝） 和 DFN（雙平直無引腳封裝）這樣的小型封裝技術(shù)應(yīng)運而生。在需要高電流、良好散熱和高可靠性的應(yīng)用中，LFPAK 封裝可能是更好的選擇。但是在低功率應(yīng)用中，比如小信號類產(chǎn)品（ssMOS），由于功率變化沒有那么大，熱應(yīng)力相對較小，小封裝的DFN可以充分體現(xiàn)其尺寸優(yōu)勢。Nexperia的DFN0606 MOSFET 封裝提供了最微小的 DFN 解決方案，它采用常用的0.35毫米間距尺寸。這個超小型封裝非常適合需要盡量減小空間占用的場合，它既能節(jié)省空間，又幾乎不需要額外的組裝工作。這種 MOSFET 封裝非常適合可穿戴設(shè)備等小型移動產(chǎn)品的應(yīng)用。圖2：DFN0606 MOSFET超小型封裝：提高電源效率、0.35 毫米間距MOSFET走向“專心”過去，具有給定的品質(zhì)因數(shù)（FOM）的標(biāo)準(zhǔn)功率開關(guān)基本上可以應(yīng)用于任何場合。但隨著技術(shù)的進步和應(yīng)用的多樣化，對MOSFET的需求比以往任何時候都要復(fù)雜和多樣。常規(guī)MOSFET數(shù)據(jù)表上有100多個參數(shù)，如Rds(on)、Vth、Ciss和Qg等等。但通常只有少數(shù)參數(shù)在每個項目中至關(guān)重要。而且隨著應(yīng)用的變化，關(guān)鍵參數(shù)也會發(fā)生變化。因此，單一的 MOSFET 參數(shù)很難滿足所有應(yīng)用的需求。Nexperia 深諳這一道理，“應(yīng)用專用”是在 MOSFET 領(lǐng)域的又一大創(chuàng)新，這是基于多年對特定應(yīng)用的理解和與客戶的攜手合作而推出的產(chǎn)品系列。通過重點優(yōu)化對某一應(yīng)用場景最為關(guān)鍵的參數(shù)，即使可能會犧牲其他不太關(guān)聯(lián)的參數(shù)，但也確保我們的 MOSFET 產(chǎn)品能夠完美匹配特定領(lǐng)域的需求，發(fā)揮出最優(yōu)的性能和效益。Nexperia打造了一系列更豐富的應(yīng)用專用 MOSFET。如下圖3所示，大致可以分為車規(guī)級 MOS 的 ASFET 和非車規(guī)級 ASFET 兩大類，它們的側(cè)重點有所不同。其中，熱插拔 ASFET LFPAK88 目前主要用于工業(yè)及消費類電子電源，車規(guī)級 MOS 的 ASFET 主要在于半橋、重復(fù)雪崩和安全氣囊驅(qū)動。圖3：Nexperia應(yīng)用專用MOSFET一覽半橋（Half-bridge）是電力電子領(lǐng)域中的一個常見術(shù)語，特指一種電路拓?fù)洹０霕蚺渲檬窃S多汽車應(yīng)用中的標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建模塊，在這種配置中，兩個開關(guān)元件（通常是兩個MOSFET或IGBT）在電源和地之間串聯(lián)連接。當(dāng)一個開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)時，另一個則處于截止?fàn)顟B(tài)。通過交替切換這兩個開關(guān)，可以控制負(fù)載的電壓和電流方向。 Nexperia的 LFPAK56D 半橋產(chǎn)品是應(yīng)用專用MOSFET的一大代表，由于去除了 PCB走線，其所占用的PCB面積比雙LFPAK56D減少了30%（圖4）。而且由于MOSFET內(nèi)部之間采用了銅夾連接，其寄生電感降低 60%（圖5）。LFPAK56D 半橋已通過 AEC-Q101 汽車認(rèn)證，為汽車行業(yè)提供了一系列具有卓越電流處理能力的即插即用型解決方案。可以廣泛用于三相汽車動力傳動系統(tǒng)應(yīng)用（燃油泵、油泵和水泵）、電機控制、直流/直流等汽車應(yīng)用。圖4：LFPAK56D半橋比雙LFPAK56D所占用的PCB面積減少了30%圖5：LFPAK56D半橋的寄生電感減少60%BUK7V4R2-40H 產(chǎn)品就采用了 LFPAK56D 半橋封裝，它不僅降低了 PCB 布局復(fù)雜性，還通過減少三相電機驅(qū)動的元件尺寸來縮小 PCB。優(yōu)化的封裝設(shè)計，提高了系統(tǒng)級 R th(j-amb)，能以更低的寄生電感支持更高的效率，與 LFPAK56D 雙封裝兼容。通過使用先進的 AEC-Q101級Trench 9硅技術(shù)，實現(xiàn)低功率損耗和高功率密度，同時具備卓越的雪崩性能。此外，其獨特的鷗翼引線可以支持高可制造性和自動光學(xué)檢測（AOI）。Nexperia的創(chuàng)新與創(chuàng)“芯”在智能化與電動化的雙重推動下，MOSFET 仍然大有可為。在這一浪潮中，Nexperia正積極驅(qū)動 MOSFET 產(chǎn)品的創(chuàng)新與升級。一方面，通過不斷優(yōu)化的 LFPAK 封裝技術(shù)，實現(xiàn)了 MOSFET 性能的顯著提升和體積的大幅縮小；另一方面，針對不同應(yīng)用領(lǐng)域，Nexperia推出了一系列領(lǐng)域?qū)Ｓ?MOSFET 產(chǎn)品，以滿足多元化的市場需求。這一“雙輪驅(qū)動”策略，不僅促使 Nexperia 的 MOSFET產(chǎn)品向更小型、更高性能、更優(yōu)散熱的方向迅速演進，更將大大推動汽車電動化進程的快速發(fā)展。
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