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“芯片廠狂魔”英特爾：4天投資三國，豪擲600多億美元
6月20日消息，芯片巨頭英特爾公司周一宣布，將斥資逾300億歐元(約合330億美元)在德國馬格德堡市建造兩座芯片制造工廠，以擴大歐洲制造業務。德國總理朔爾茨贊稱，這項協議是德國有史以來最大的外國投資。對于英特爾來說，德國建廠協議是該公司在4天時間內的第三筆重大投資，這三筆投資的總規模超過626億美元。上周五，英特爾宣布計劃在波蘭投資46億美元建造一座芯片工廠。接著在上周日，以色列總理內塔尼亞胡稱，英特爾將在該國投資250億美元建造一座芯片廠。知情人士稱，德國政府已同意給予英特爾接近100億歐元的補貼，高于最初計劃向英特爾提供的68億歐元補貼。
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TI德州儀器發布低功耗氮化鎵系列新品
助力工程師開發系統尺寸減半且效率超過 95% 的交流/直流解決方案，從而簡化散熱設計。全新氮化鎵器件可兼容交流/直流電源轉換中常見的拓撲結構。德州儀器(TI) 今日發布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業系統的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應晶體管(FET) 全系列產品均集成了柵極驅動器，能解決常見的散熱設計問題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。德州儀器高電壓電源部總經理 Kannan Soundarapandian表示：“如今，消費者需要更小、更輕、更便攜，同時還能快速充電的高能效電源適配器。借助我們發布的新品，設計人員可將低功耗 GaN 技術的功率密度優勢應用到更多消費者日常使用的產品中，如手機和筆記本電腦適配器、電視電源裝置和 USB墻壁插座。此外，德州儀器的產品組合還能滿足電動工具和服務器輔助電源等工業系統對高效率緊湊型設計日益增長的需求。”帶集成柵極驅動器的全新 GaN FET 產品組合包括 LMG3622、LMG3624 和 LMG3626，提供業界超精確的集成電流檢測功能。與使用分立式 GaN 和硅 FET 的傳統電流檢測電路相比，由于集成電流檢測功能，無需再連接外部分流電阻器，同時可將相關功率損耗降低高達 94%，幫助設計人員大幅提高效率。大幅提高能效并簡化散熱設計TI 帶集成柵極驅動器的 GaN FET 可實現更快的開關速度，有助于防止適配器過熱；還支持設計人員將小于 75W 的交流/直流應用的系統效率提升至 94%，將大于 75W 的交流/直流應用的系統效率提升至 95% 以上。與硅基解決方案相比，我們的全新器件可幫助設計人員將典型 67W 電源適配器解決方案的尺寸縮小多達 50%。該產品組合還針對交流/直流電源轉換中常見的拓撲結構（如準諧振反激式、非對稱半橋反激式、電感-電感轉換器、圖騰柱功率因數校正和有源鉗位反激式）進行了優化。長期投資氮化鎵制造德州儀器的自有制造歷史悠久、遍及全球且呈現區域多元化的特點，在全球 15 個制造基地中包括多家晶圓制造廠、封裝測試廠以及凸點加工廠和晶圓測試廠。十年多來，德州儀器一直致力于研究與發展氮化鎵技術。德州儀器計劃到 2030 年自有制造 90% 以上的產品，因此，在未來數十年內能為客戶提供更可靠的產能。封裝與供貨情況TI.com/GaN 現已提供可量產的 LMG3622 和 LMG3626 器件和預量產的 LMG3624 器件。器件采用 8mm x 5.3mm、38 引腳 QuadFlat No-lead 封裝支持多種付款方式和發貨方式此外，還提供不帶集成電流檢測功能的引腳對引腳器件 LMG3612 和 LMG3616
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什么是半導體芯片？探尋半導體材料的潮流
半導體芯片，探尋半導體材料的潮流什么是半導體芯片？半導體芯片，指在半導體片材上進行浸蝕、布線，制成的能實現某種功能的半導體器件。除了常見的硅芯片，還有砷化鎵、鍺等半導體材料。半導體材料的潮流像汽車一樣，半導體也有潮流。在20世紀70年代，因特爾等美國企業在動態隨機存取內存（D-RAM）市場占據上風。但由于大型計算機的出現，需要高性能D-RAM的20世紀80年代，日本企業名列前茅。半導體材料種類除了硅芯片，常見的半導體材料還包括砷化鎵，但砷化鎵有毒，所以一些劣質電路板不要好奇分解它。鍺材料也常用于制作太陽能電池。總結隨著科技的不斷發展，半導體芯片的應用范圍越來越廣泛。我們期待著未來，看看半導體材料的發展趨勢，探尋半導體芯片的新潮流。
哦! 它是空的。