6月28日，全球芯片代工“二哥”三星電子在美國舉辦“2023三星晶圓代工論壇”，公布了其AI時代下最新晶圓代工業務進展和技術路線圖。

“我們相信，基于GAA的先進制程技術，將為客戶在人工智能應用方面的需求提供強大支持。”三星電子總裁兼晶圓代工業務負責人崔時榮稱，客戶正在積極開發AI專用芯片，三星電子將通過優化人工智能芯片的GAA技術，引領人工智能技術模式的變化。

GAA即全環繞柵極（Gate All Around），用來取代此前先進制程上長期采用的FinFET（鰭式場效應晶體管）。GAA被稱為新一代半導體的核心制程技術，能夠提升數據處理速度、電力效率和晶體管性能。IBM曾在2021年宣布成功研制出全球首款2納米芯片，該款芯片已率先采用GAA技術，但其并未改變此后芯片制造領域的競爭格局。臺積電則計劃在2025年量產的2納米工藝中應用GAA技術。

在GAA技術進展上，三星電子去年6月宣布實現基于GAA技術的3納米工藝半導體產品量產，并稱將于2025年起量產基于GAA技術的2納米工藝半導體。此次晶圓代工論壇上，三星提出2納米工藝具體量產時間表，即自2025年起首先于移動終端量產該工藝，隨后在2026年將2納米工藝適用于高性能計算（HPC）產品，并于2027年擴至車用芯片。

先進工藝外，三星還透露了第三代半導體和通訊器件的業務及進展。自2025年起，三星將為消費、數據中心和汽車應用提供8英寸GaN（氮化鎵）功率半導體代工服務。此外，基于5納米工藝的RF（射頻）產品處于開發階段，預計2025年上半年開發完成，目標是保持6G的技術先進性。相較此前的14納米工藝，5納米RF工藝功效提高40%，面積減少50%，目前量產中的8納米和14納米RF將擴展到移動、汽車等市場。

產能方面，三星計劃于韓國量產應用于移動領域的晶圓代工產品，并更多集中在平澤P3工廠；位于美國泰勒的新晶圓廠預計于今年底前竣工，2024年下半年內投產。同時，三星計劃在2030年后將韓國的生產基地擴展到龍仁，以支持下一代晶圓代工服務。通過以上措施，其預計在2027年將半導體生產能力提升至2021年的7.3倍。

值得注意的是，三星還大幅加碼先進芯片封裝技術，宣布成立先進封裝協商機制“MDI（Multi Die Integration）同盟”。據三星介紹，該同盟將構建基于2.5D、3D異構集成小芯片封裝技術生態系統，與合作伙伴一起提供一站式封裝測試服務，滿足HPC和車用芯片定制化需求。三星稱，正與10個封測合作伙伴共同開發2.5D/3D封裝設計解決方案。

在芯片代工市場，三星正加緊追趕臺積電，并防范來自英特爾的挑戰。受宏觀經濟“逆風”、消費電子疲軟等因素影響，全球半導體行業自2022年開始轉入下行周期，但隨著人工智能熱潮推動，對于先進芯片的需求仍然有望保持增長。

三星是全球第二大晶圓代工廠商。2023年第一季度，三星電子營收63.75萬億韓元（約合486.86億美元），同比減少18.04%。其中，除存儲芯片外的其他半導體業務營收為4.81萬億韓元（約合36.72億美元），較2022年同期下滑29.05%。臺積電該季度實現營收5086.33億新臺幣，同比增長3.6%。

行業分析機構集邦咨詢數據顯示，2023年第一季度，三星在全球晶圓代工市場的占有率為12.4%。臺積電穩居第一，份額高達60.1%；聯電、格芯、中芯國際分別以6.6%、6.4%和5.3%的占有率位居第三至第五。