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Diodes推出兩款全新單片單極霍爾效應(yīng)開關(guān)產(chǎn)品組合
Diodes近日推出兩款全新單片單極霍爾效應(yīng)開關(guān)產(chǎn)品組合，專為電池供電產(chǎn)品應(yīng)用中接近傳感而設(shè)計。這些器件在 1.85V 下僅需 1.1μA 的超低供電電流，在 1.6V 至 5.5V 下僅需 1.6μA 的超低供電電流，非常適合智能手機(jī)、筆記本電腦及可穿戴設(shè)備等電池供電的便攜設(shè)備。本系列器件也適用家電、游戲主機(jī)及工業(yè)硬件。這些霍爾效應(yīng)開關(guān)的工作電壓在 1.6V 至 5.5V之間，能直接由便攜設(shè)備內(nèi)部的電池供電，因此節(jié)省了電源轉(zhuǎn)換的面積與成本。雙輸出的 AH139x 系列中的輸出 1 對應(yīng) N 極，而輸出 2 對應(yīng) S 極，典型工作點為 25G (AH1391) 和 30G (AH1392)。AH138x 系列的單輸出對應(yīng)于器件絲印(Part-Marking)側(cè)的 S 極，典型工作點為 18G (AH1381)、30G (AH1382) 和 45G (AH1383)。這些開關(guān)狹小的工作范圍可確保較低的磁傳播，而其斬波穩(wěn)定設(shè)計提供最小的開關(guān)點漂移和卓越的溫度穩(wěn)定性。為了提高耐用性，這些器件具有強(qiáng)大的人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 保護(hù)：AH138x 系列為 8kV，AH139x 系列為 6kV。此外，這些器件具有推挽式輸出，無需外部上拉電阻，進(jìn)而簡化系統(tǒng)設(shè)計、節(jié)省電路板空間并減少物料清單。為了確保適用于小型產(chǎn)品應(yīng)用，所有器件均采用業(yè)界最小的封裝：DFN1010-4 與 DFN1410-4。AH1381、AH1382 及 AH1383 版本也提供 SOT23 封裝。AH138x 系列提供 DFN 封裝與 SOT23 封裝。AH139x 系列提供 DFN 封裝。上述型號及霍爾效應(yīng)開關(guān)完整產(chǎn)品組合都包含在霍爾效應(yīng)傳感器器件選擇工具頁面中。
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高性能先進(jìn)芯片封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革
第24屆電子封裝技術(shù)國際會議（ICEPT2023）于近日在新疆召開，來自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂，共話先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國際合作。長電科技董事、首席執(zhí)行長鄭力出席會議，發(fā)表《高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革》主題演講。鄭力表示，隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢的演進(jìn)，微系統(tǒng)集成成為驅(qū)動集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的重要動力，而高性能先進(jìn)封裝是微系統(tǒng)集成的關(guān)鍵路徑。微系統(tǒng)集成承載集成電路產(chǎn)品創(chuàng)新作為全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商，長電科技多年前就提出從“封測”到“芯片成品制造”的升級，帶動行業(yè)重新定義封裝測試的產(chǎn)業(yè)鏈價值。隨著產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，異質(zhì)異構(gòu)系統(tǒng)集成為集成電路產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)品創(chuàng)新提供越來越廣空闊的空間。鄭力在演講中介紹，在戈登·摩爾于1965年提出“摩爾定律”的署名文章中，不僅提出了對晶體管數(shù)目指數(shù)增長的預(yù)測，也預(yù)測了可以用小芯片封裝組成大系統(tǒng)的集成電路未來技術(shù)發(fā)展方向?？梢哉f，基于微系統(tǒng)集成的高性能封裝原本就是摩爾定律的重要內(nèi)容，傳統(tǒng)的摩爾定律（晶體管尺寸密度每18個月翻倍）在過去50余年推動了集成電路性能的不斷提升。未來集成電路高性能的持續(xù)演進(jìn)更依賴于微系統(tǒng)集成技術(shù)從系統(tǒng)層面增加功能并優(yōu)化性能。同時，異質(zhì)異構(gòu)集成和小芯片(chiplet)也推動了設(shè)計方法的變革，系統(tǒng)/技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(STCO)將成為未來高性能芯片開發(fā)的主要方式。STCO 在系統(tǒng)層面對芯片架構(gòu)進(jìn)行分割及再集成，以高性能封裝為載體，貫穿設(shè)計、晶圓制造、封裝和系統(tǒng)應(yīng)用，協(xié)同優(yōu)化芯片產(chǎn)品性能。高性能先進(jìn)封裝是微系統(tǒng)集成發(fā)展的關(guān)鍵路徑微系統(tǒng)集成的主要方法，與微電子互聯(lián)的三個層次類似，可以理解為片上集成、先進(jìn)封裝、板上集成，而高性能先進(jìn)封裝正好處于中間位置，且其作用越來越大。鄭力介紹，對于高性能先進(jìn)封裝，其主要特征一是基于高帶寬互聯(lián)的高密度集成；二是芯片-封裝功能融合。這其中，chiplet是以提升性能為主要驅(qū)動的高速、高密度、高帶寬的高性能先進(jìn)封裝。同時，相比傳統(tǒng)芯片設(shè)計和晶圓制造以及傳統(tǒng)封裝，高性能 2.5D / 3D 封裝更加注重架構(gòu)、Interposer等對多芯片微系統(tǒng)PPA的重要影響，強(qiáng)調(diào)在設(shè)計和制造中考慮封裝結(jié)構(gòu)和工藝，對性能和可靠性的共同影響，和芯片-封裝-系統(tǒng)散熱的協(xié)同設(shè)計和驗證。當(dāng)下隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、5G通訊、智能制造等技術(shù)發(fā)展和加速應(yīng)用，高性能先進(jìn)封裝在各個領(lǐng)域的作用越來越不可或缺。例如在高性能計算(HPC)領(lǐng)域，高性能2.5D/3D封裝的創(chuàng)新推動了高性能計算芯片的創(chuàng)新：Die-to-Die 2.5D/3D封裝以及高密度SiP技術(shù)，是邏輯、模擬、射頻、功率、光、傳感等小芯片的異質(zhì)集成的重要途徑。在這一領(lǐng)域，長電科技已經(jīng)推出的多維扇出封裝集成XDFOI技術(shù)平臺，覆蓋了2D、2.5D和3D等多個封裝集成方案并已實現(xiàn)量產(chǎn)。此外，移動通信終端小型化需求對高密度射頻集成提出高要求，高密度SiP模組在5G 射頻模組L-PAMiD和毫米波天線集成(AiP)上發(fā)揮著關(guān)鍵決定作用。面向這一市場，長電科技已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)面向5G毫米波市場的射頻前端模組和AiP模組的產(chǎn)品。在高性能封裝主導(dǎo)的未來，不同應(yīng)用將對芯片和器件成品提出差異性要求。以應(yīng)用驅(qū)動提供芯片成品制造服務(wù)，既可以促進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)效率提升，還能促進(jìn)成熟技術(shù)反哺更多應(yīng)用領(lǐng)域，實現(xiàn)更大的價值。
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