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國家強勢出手：芯片企業研發費用加計扣除比例提高到 120%
9 月 18 日消息，財政部、稅務總局、國家發展改革委、工業和信息化部今日聯合發布關于提高集成電路和工業母機企業研發費用加計扣除比例的公告，進一步鼓勵企業研發創新，促進集成電路產業和工業母機產業高質量發展。
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公告第一條指出，集成電路企業和工業母機企業開展研發活動中實際發生的研發費用，未形成無形資產計入當期損益的，在按規定據實扣除的基礎上，在 2023 年 1 月 1 日至 2027 年 12 月 31 日期間，再按照實際發生額的 120% 在稅前扣除；形成無形資產的，在上述期間按照無形資產成本的 220% 在稅前攤銷。
集成電路企業是指國家鼓勵的集成電路生產、設計、裝備、材料、封裝、測試企業。
知識百科：無形資產（intangible asset），亦稱“無形固定資產”（intangible fixed asset）。指不具有實物形態而能為企業較長期地提供某種特殊權利或有助于企業取得較高收益的資產，在資本主義企業中，列為無形資產的有商標、商譽、版權、專利權、租賃權、特許營業權等。
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ROHM羅姆公司開發出600V耐壓Super Junction MOSFET
產品陣容新增具有低噪聲、高速開關和超短反向恢復時間特點的5款新產品全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新產品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。近年來，隨著照明用的小型電源和電泵用電機的性能提升，對于在這些應用中發揮開關作用的MOSFET的更小型產品需求高漲。通常，對于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐壓和低導通電阻特性理想平衡的同時，很難進一步縮小體積。此次，ROHM通過改進內置芯片的形狀，在不犧牲以往產品性能的前提下開發出5款更小更薄的SOT-223-3封裝新產品。與以往TO-252封裝（6.60mm×10.00mm×2.30mm）的產品相比，新產品的面積減少約31%，厚度減少約27%，有助于實現更小、更薄的應用產品。另外，新產品還支持TO-252封裝電路板上的布線圖案（焊盤圖案），因此也可以直接使用現有的電路板。五款新產品分別適用于小型電源和電機應用，各有不同的特點。適用于小型電源的有3款型號，“R6004END4”具有低噪聲的特點，適用于需要采取降噪措施的應用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速開關的特點，適用于需要低損耗且高效率工作的應用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技術加快了反向恢復時間（trr*2）并大大降低了開關損耗，屬于“PrestoMOS”產品，非常適用于電機應用。此外，為了加快這些產品的應用，在ROHM官網上還免費提供電路設計所需的應用指南和各種技術資料，以及仿真用的SPICE模型等資源。新產品已于2023年11月開始暫以月產10萬個的規模投入量產（樣品價格400日元/個，不含稅）。另外，新產品也已開始電商銷售，從Ameya360、Sekorm、Oneyac、Right IC等電商平臺均可購買。今后，ROHM將繼續開發不同封裝和低導通電阻產品，不斷擴大Super Junction MOSFET的產品陣容，通過助力各種設備降低功耗，來為解決環境保護等社會課題做出貢獻。小型電源用電機用＜應用示例＞?R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4：照明、空調、冰箱等?R6002JND4 / R6003JND4：電泵、風扇、復印機等使用的電機＜Super Junction MOSFET特設頁面＞ROHM的官網上提供與SOT-223-3封裝相關的應用指南以及各種電路設計所需的資料。https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet＜什么是PrestoMOS＞Presto意為“非常快”，源于意大利語的音樂術語。PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌，該品牌的MOSFET產品不僅保持了Super Junction MOSFET高耐壓和低導通電阻的特點，還縮短了內置二極管的反向恢復時間。因其可降低開關損耗而越來越多地被用于空調和冰箱等配備逆變電路的應用。＜術語解說＞*1) Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）MOSFET是晶體管的一種，根據器件結構上的不同又可細分為Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產品。與Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET能夠同時實現高耐壓和低導通電阻，在處理大功率時損耗更小。*2) trr：反向恢復時間（Reverse Recovery Time）內置的二極管從導通狀態到完全關斷狀態所需的時間。該值越低，開關時的損耗越小。
哦! 它是空的。